| 功率MOSFET管和IGBT管对其驱动电路有如下要求： （1）栅一源驱动脉冲电压的幅值UGS要足够大，为了降低通态电阻或压降，大功率高压MOSFET管和IGBT管功率开关器件的驱动电压要有12～15 V。低压MOSFET也有用逻辑电平4.5 V的。 （2）要防止栅一源之间的击穿，栅一源之间的击穿电压约为50V，但分散性较大，容易击穿损坏。驱动电路的输出电压UGS，一般应小于20V，为此可以用反向耐压约为20V的肖特基二极管钳位来限制过电压。 （3）驱动电压“开路脉冲”的边沿要陡。“开路脉冲”是指漏极开路（不接电压），栅一漏电容CGD不起反馈作用时的测试波形，其上升沿和下降沿的时间（t1～t2、t4～t5）要很短，如小于0.5S，如图9：2的｀点画线部分所示，工作波形如图1中的实线所示。由于MOSFET栅一源极之间的输人电容Ciss（在1000 pF数量级），要求驱动电路能够提供较大的短时充、放电峰值电流（如500mA或500mA以上）。 图1 对栅一源极之间电容的充电电流和放电电流 ①在脉冲前沿t1～t3期间，必须要有从驱动电路流向栅极（此电流方向对驱动电路来说是“拉”）的iG充对CGS大电流充电，才能使栅－源之间的极间电容CGS迅速建立电压UGS，以使MOSFET管的漏一源之间迅速导通。 ②在脉冲的后沿t4～t6期间，必须要有从MOSFET栅极流向驱动电路（此电流方向对驱动电路来说是“灌”）的iG放，对CGS大电流放电，才能使栅一源电压UGS速放完，使MOSFET漏一源之间迅速截止。 （4）有时需要隔离。当驱动电路浮地端与被驱动管的源极电位不相等时，需要用脉冲变压器或是光耦驱动器做电位隔离（绝缘）。 |
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