标题:
碳化硅相对于传统器件的优势
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作者:
掘金小分队
时间:
2017-2-24 12:03
标题:
碳化硅相对于传统器件的优势
第一不是高
频
化,因
为
高
频
化从硅器件也基本可以
实现
,比如通
过
拓扑的
变
化或
软
开关等。碳化硅第一
优势应该
是它的高
压
特性,它可以填
补
硅器件在
1000
伏特以上
IGBT
不足的
优势
,
进
而
简
化拓扑,比如把一些三
电
平
dcdc
变
化
传统
H
桥
,
这
个在成本和
实
用性上
优势
比
较
明
显
,像一些高
压输
入
EV
的
DCDC
或充
电
系
统
,另外更高
电压(
6.6kV
,
35kV
等级)
的
电
力系
统电
力
电
子
应
用
,现在已经
Cree
有
10kV
耐压的
SiC
样品。
第二
才是
是高
频
化,
针对应
用当然是首先在硬开关
电
路上,比如
BOOST MPPT
。它确
实
可以把
电
感做小,用
铁
硅
铝
可
实现
高
压
800V
以上
输
出,开关
频
率在
45khz-100khz 20kw-50KW
。
第三是
软
开关
电
路,
这
个主要是
LLC
桥
式
电
路,由于高耐
压
,所以可以把三
电
平
LLC
变为传统
两
电
平
LLC
。另外,
软
开关
电
路
LLC,
关断是硬关断,碳化硅可以减小关断
损
耗,再来就是减小死区
时间
和超快体二极管,
这
可以
进
一步提高效率,
这
个在
EV
,
ESS
应
用上已
经
越来越明
显
。
第四点主要是它的双向
导
通特性,
这
个基本是
MOSFET
都一
样,日本有用
SiC MOSFET
做成了
Matrix Converter
。
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