标题:
STM32 GPIO模式理解
[打印本页]
作者:
yuchengze
时间:
2017-2-24 13:19
标题:
STM32 GPIO模式理解
stm32
的GPIO的配置模式有好几种,包括:
1. 模拟输入;
2. 浮空输入;
3. 上拉输入;
4. 下拉输入;
5. 开漏输出;
6. 推挽输出;
7. 复用开漏输出;
8. 复用推挽输出
如图是GPIO的结构
原理图
:
1.模拟输入
从上图我们可以看到,我觉得模拟输入最重要的一点就是,他不经过输入
数据寄存器
,所以我们无法通过读取输入数据
寄存器
来获取模拟输入的值,我觉得这一点也是很好理解的,因为输入数据寄存器中存放的不是0就是1,而模拟输入信号不符合这一要求,所以自然不能放进输入数据寄存器。该输入模式,使我们可以获得外部的
模拟信号
。
2.浮空输入
该输入状态,我的理解是,它的输入完全由外部决定,我觉得在数据通信中应该可以使用该模式。应为在数据通信中,我们直观的理解就是线路两端连接着发送端和接收断,他们都需要准确获取对方的信号电平,不需要外界的干预。所以我觉得这种情况适合浮空输入。比如我们熟悉的I2C通信。
3上拉输入
上拉输入就是在输入电路上使用了
上拉电阻
。这种模式的好处在于我们什么都不输入时,由于内部上拉电阻的原因,我们的
处理器
会觉得我们输入了高电平,这就避免了不确定的输入。这在要求输入电平只要高低两种电平的情况下是很有用的。
4下拉输入
和上拉输入类似,不过下拉输入时,在外部没有输入时,我们的处理器会觉得我们输入了
低电平
。
5开漏输出
开漏输出,输出端相当于
三极管
的集电极,所以适合与做
电流
驱动的应用。要得到高电平,需要上拉电阻才可以。
6推挽输出
推挽输出使用了推挽电路,结合推挽电路的特性,它是由两个MOSFET组成,一个导通的同时,另外一个截至,两个MOSFET分别连接高低电平,所以哪一个导通就会输出相应的电平。推挽电路速度快,输出能力强,直接输出高电平或者低电平。
7复用开漏和复用推挽
我们知道这只是对GPIO的复用而已。使普通的GPIO具有了别的功能。
推挽输出:
可以输出高,低电平,连接数字器件; 推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止。高低电平由IC的
电源
低定。
推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小、效率高。输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度。
详细理解:
如图所示,推挽放大器的输出级有两个"臂"(两组放大元件),一个"臂"的电流增加时,另一个"臂"的电流则减小,二者的状态轮流转换。对负载而言,好像是一个"臂"在推,一个"臂"在拉,共同完成电流输出任务。当输出高电平时,也就是下级负载门输入高电平时,输出端的电流将是下级门从本级电源经VT3拉出。这样一来,输出高低电平时,VT3 一路和 VT5 一路将交替工作,从而减低了
功耗
,提高了每个管的承受能力。又由于不论走哪一路,管子导通电阻都很小,使RC常数很小,转变速度很快。因此,推拉式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度。
开漏输出:
输出端相当于三极管的集电极. 要得到高电平状态需要上拉电阻才行. 适合于做电流型的驱动,其吸收电流
的能力
相对强(一般20ma以内).
开漏形式的电路有以下几个
特点
:
利用外部电路的驱动能力,减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时,
驱动电流
是从外部的VCC流经R pull-up ,MOSFET到GND。IC内部仅需很下的栅极驱动电流。
一般来说,开漏是用来连接不同电平的器件,匹配电平用的,因为开漏引脚不连接外部的上拉电阻时,只能输出低电平,如果需要同时具备输出高电平的功能,则需要接上拉电阻,很好的一个优点是通过改变上拉电源的电压,便可以改变传输电平。比如加上上拉电阻就可以提供TTL/CMOS电平输出等。(上拉电阻的阻值决定了逻辑电平转换的沿的速度。阻值越大,速度越
低功耗
越小,所以负载电阻的选择要兼顾功耗和速度。)
OPEN-DRAIN提供了灵活的输出方式,但是也有其弱点,就是带来上升沿的延时。因为上升沿是通过外接上拉无源电阻对负载
充电
,所以当电阻选择小时延时就小,但功耗大;反之延时大功耗小。所以如果对延时有要求,则建议用下降沿输出。
可以将多个开漏输出的Pin,连接到一条线上。通过一只上拉电阻,在不增加任何器件的情况下,形成"与逻辑"关系。这也是I2C,SMBus等
总线
判断总线占用状态的原理。
补充:什么是"线与"?:
在一个结点(线)上,连接一个上拉电阻到电源VCC或VDD和n个NPN或NMOS晶体管的集电极C或漏极D,这些晶体管的发射极E或源极S都接到地线上,只要有一个晶体管饱和,这个结点(线)就被拉到地线电平上.因为这些晶体管的基极注入电流(NPN)或栅极加上高电平(NMOS),晶体管就会饱和,所以这些基极或栅极对这个结点(线)的关系是或非NOR逻辑.如果这个结点后面加一个反相器,就是或OR逻辑.
其实可以简单的理解为:在所有引脚连在一起时,外接一上拉电阻,如果有一个引脚输出为逻辑0,相当于接地,与之并联的
回路
"相当于被一根导线短路",所以外电路逻辑电平便为0,只有都为高电平时,与的结果才为逻辑1。
欢迎光临 电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛 (http://bbs.eccn.com/)
Powered by Discuz! 7.0.0