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标题: 海士力要哭了!三星将量产最强64层3D NAND闪存芯片 [打印本页]

作者: yuchengze 时间: 2017-4-19 09:41 标题: 海士力要哭了!三星将量产最强64层3D NAND闪存芯片

前几日，SK海力士正式宣布量产最强72层3D NAND闪存颗粒，一时间震撼全行业。

可近日，韩国媒体给出的报道称，三星将从7月份开始运营位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂。这是全球规模最大的芯片工厂，占地289万平方米，而在这里三星量产第四代3D NAND闪存芯片，该芯片垂直堆叠达到64层。
新工厂从2015年开始建造，耗资15.6万亿韩元(约合136亿美元)。平面和垂直NAND闪存芯片的总产能预计将达到每月45万片晶圆，3D NAND闪存芯片将占据一半以上。
IHS Markit发布的报告显示，三星去年在NAND闪存芯片市场的份额从2015年的32%增长到了36.1%。

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