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标题: 三星将领先东芝量产64层3D NAND [打印本页]

作者: yuchengze 时间: 2017-4-20 14:59 标题: 三星将领先东芝量产64层3D NAND

据报道，三星将抢先于今年底前开始量产64层3D NAND，目标是今年生产4G V-NAND，可能意即为64层3D NAND。东芝及WD(西部数据)称，将于2017年上半年开始量产堆叠64层的3D NAND Flash制程，相对落后于NAND Flash市占王三星。东芝(Toshiba)及WD于日前同时发布新闻稿宣布，已领先全球研发出堆叠 64 层的 3D Flash 制程技术，正式开始向客户送样，预计将透过本月7月完工的日本四日市工厂“新第 2 厂房”量产，量产时间都预计为2017年上半年。
SSD(固态硬盘)近年来制程技术演进，成本价格逐渐逼近硬盘(Hard disk)，因此渗透率大增，各大厂陆续将生产DRAM产能逐渐转向NAND Flash(储存型快闪记忆体)，大抢市占率，除了比市占更还要比技术。
东芝(Toshiba)及WD于日前同时发布新闻稿宣布，已领先全球研发出堆叠 64 层的 3D Flash 制程技术，正式开始向客户送样，预计将透过本月7月完工的日本四日市工厂“新第 2 厂房”量产，量产时间都预计为2017年上半年。
当时市场都解读NAND Flash领军三星，因64层堆叠技术尚无产出消息，因此认为将被东芝及WD领先。三星表示，预计将于今年底前量产4G V-NAND及18纳米制程的DRAM，目前进展顺利。

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