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标题: 中国“芯”投资方向大力打造存储芯片产业 [打印本页]

作者: yuchengze 时间: 2017-4-25 19:55 标题: 中国“芯”投资方向大力打造存储芯片产业

前天武汉新芯正式启动总投资达240亿美元的存储芯片项目，这意味着经过一年多的规划中国正式加入这一市场，力图打造自己的存储芯片产业，改变对国外存储芯片的依赖。
中国成为全球最大存储芯片采购国
中国的联想是全球最大的PC企业，中国的手机品牌华为、小米、联想是全球前五大手机企业，消耗了全球大量的存储芯片。特别是中国的手机品牌成长快速，2015年的市场份额超过40%，今年的市场份额有望达到45%，这推动中国采购的存储芯片份额将进一步上升。
2014年中国采购了全球约两成的存储芯片，采购金额高达100亿美元，2015年前十个月采购的存储芯片金额已经达到120亿美元预计全年采购金额超过140亿美元占全球存储芯片市场的份额提升到约三成，不过目前中国主要依靠向国外采购存储芯片。
中国制造正致力于在向高端制造业爬升，芯片居于制造业的上游是高端制造业的关键，因此中国在2014年成立了集成电路产业基金推动国内的芯片产业发展，并已在处理器、半导体制造方面投资了华为海思、紫光、中芯国际等企业，存储芯片产业则成为又一个备受关注的投资方向。
DRAM市场韩国独大
据TrendForce的数据，2015年四季度三星、SK海力士和美光分别以46.4%、27.9%、18.9%的市场份额位居前三强，共同占有全球DRAM市场份额超过九成的市场份额，而韩国企业三星和SK海力士更以近四分三的市场份额占据绝对优势的市场份额。而早期曾经是DRAM市场一强的中国台湾企业南亚科、华邦、力晶占有的市场份额仅剩下5.6|%的市场份额。
在工艺上韩国企业同样占有优势，三星目前工艺领先，其早已转入20nm工艺，目前其在这一工艺上良率优于其他竞争对手，在总体产能比重中逐渐上升，其计划今年中引入18nm工艺，进一步降低其生产成本。
SK海力士去年8月其号称全球最大的半导体工厂“M14”竣工，成为去年新增产能最多的DRAM企业，去年四季度引入21nm工艺，这将有望进一步提升其在DRAM市场的份额。
美光在去年四季度开始采用20nm工艺生产DRAM不过目前良率不如三星，预计今年会采用16nm工艺生产DRAM。最让美光受鼓舞的是，Intel这个半导体巨头回归DRAM市场(其早年是DRAM市场一强，后来被日本企业击败于是退出了这个市场)选择与美光合资，这将有助于美光增强其与韩国企业的竞争实力。
中国改变对国外存储芯片的依赖需要时间
武汉新芯成立于2006年，已建成12寸晶圆厂，早期曾由中国最大的半导体工厂中芯国际托管，到了2013年与中芯国际脱离关系独立发展，其日前开始启动存储芯片工厂项目意味着其成为中国唯一以存储芯片为主的半导体制造企业。
为保证该项目的顺利发展，去年新芯从中国台湾挖来台湾 DRAM 厂茂德技术发展暨产品本部兼大中华事业部副总裁赵海军，藉由他在台湾的人脉关系寻找更多的的存储芯片人才，这与其他大陆半导体企业的发展类似，在缺乏技术人才的时候纷纷从中国台湾挖取相关的技术专才以助力技术研发，液晶企业华星光电、处理器设计企业展讯等俱是如此，中国台湾的液晶面板、半导体等高科技制造业由于与韩国竞争处于下风其相关人才也确实需要寻找新出路，这让大陆和台湾合作形成了共赢。
不过要真正形成与韩国和美国存储企业竞争的实力尚需要时间，武汉新芯目前才开始动工建设，预计到2020年能形成30万片的生产规模。在生产工艺方面，武汉新芯目前采用45纳米镜像NOR闪存和65纳米浮门NOR闪存，其表示正在开发20nm工艺，这与目前存储芯片企业前三强的差距相当大。
中国最大的优势是其是全球最大的市场，这庞大的市场除了对高端的存储芯片有需求外，对中低端存储芯片同样的有庞大的需求，即使武汉新芯只是在中低端市场获得部分市场份额也足以让其持续良性发展，加上国家不断的扶持投入再逐渐往更高阶的存储芯片爬升，这也正是韩国存储芯片产业发展的路径。

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