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标题: Littelfuse低电容瞬态抑制二极管可加强浪涌保护 [打印本页]

作者: yuchengze 时间: 2017-6-20 22:06 标题: Littelfuse低电容瞬态抑制二极管可加强浪涌保护

Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，今日宣布推出一个低电容瞬态抑制二极管阵列产品系列，用于保护高速差分数据线免因静电放电(ESD)、电缆放电(CDE)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌而损坏。每个SP2555NUTG系列瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管）均可在高达45A和30kV ESD的条件下保护四个通道或两个差分线对。 SP2555NUTG系列产品的浪涌容差高于目前市面上的瞬态抑制二极管阵列，并可达到新兴以太网协议较低的电压目标。SP2555NUTG系列的典型应用包括10/100/1000以太网、WAN/LAN设备、桌上型电脑、服务器和笔记本电脑、LVDS接口、集成式磁性元件与智能电视。

“凭借每个输入/输出2.5pF的低电容以及较低的箝位电压水平，SP2555NUTG系列成为笔记本电脑、交换机和其他网络设备中1GbE应用等高速数据接口的理想选择。” Littelfuse瞬态抑制二极管阵列产品经理Tim Micun表示，“低电容可维护信号完整性，并最大限度地减少数据丢失，同时提供免受电气威胁的更强大设备。”

SP2555NUTG系列瞬态抑制二极管阵列具有下列突出优势：

每个输入/输出2.5pF的低电容有助于维护信号完整性，并最大限度地减少数据丢失，同时提供免受电气威胁的更强大设备。
3.0mm x 2.0mm μDFN封装经过优化，可在高达45A和30kV ESD的条件下保护两个差分数据线对（四个通道）。
“直通型”设计可保障信号完整性、减少电压过冲并简化印刷电路板设计

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