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标题: 台积电携ARM奔向7nm [打印本页]

作者: yuchengze 时间: 2017-6-22 14:00 标题: 台积电携ARM奔向7nm

TSMC总裁兼联合CEO Mark Liu 在日前的投资者大会上透露，已经有20多家客户与台积电在洽谈7nm代工事宜，预计2017年会有15家客户完成流片工作。
近日，ARM 宣布已将 Artisan 物理IP内核授权给赛灵思(Xilinx)公司，制造制程就是TSMC公司的7nm。该晶片明年初流片，不过2018年才会正式上市。
那么7nm制程到底能带来多大的提升?TSMC 最近公布了部分7nm制程细节，他们已经使用7nm制程试产了 256MB 6T-SRAM 电路，cell单元面积只有0.027mm2，读写电压0.5V，与16nm 相比，裸片尺寸可缩小至43%。包含布线在内的栅极密度可提高至约3.3倍，而且速度能提高35～40%，或者削减65%以上的耗电量。并且，7nm工艺和10nm工艺共享95%的设备，7nm工艺节点也可以看做是10nm的升级版，但是晶体管密度可以增加超过60%，功耗则降低30-40%。
TSMC现在的工艺是16nm，并将在今年底投产10nm，而三星也会同步从14nm转到10nm，高通的下代旗舰骁龙828/830就会使用三星10nm。
Mark Liu介绍说，TSMC的10nm工艺主要面向移动设备，7nm则同时面向移动和高性能计算应用——这意味着很多手机处理器会上台积电10nm，而桌面显卡只能等7nm。
TSMC的竞争对手Globalfoundries也正计划转移到7纳米工艺制程上，预计在2018年可以量产。三星目前暂时未公开谈论7纳米工艺的计划，但更早却展示过5纳米工艺。至于英特尔，之前曾表示7纳米会将成一个发展线路图上一个重要的节点，相信会在适当的时机公布相关计划。

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