标题:
业界最快trr性能的600V超级结MOSFET PrestoMOS
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作者:
bom2buy
时间:
2017-7-6 10:09
标题:
业界最快trr性能的600V超级结MOSFET PrestoMOS
ROHM
的高速trr※1型600V 超级结MOSFET PrestoMOS※产品群又新增“R60xxMNx系列”,非常适用于要求低功耗化的白色家电及工业设备等的电机驱动。
PrestoMOS
是拥有业界最快trr性能的功率MOSFET,以业界最小的开关损耗著称。因使搭载变频器的白色家电的功耗更低而获得高度好评。
此次开发的“R60xxMNx系列”通过优化ROHM独有的芯片结构,在保持PrestoMOS“高速trr性能”特征的基础上,还成功地使Ron※2和Qg※3显著降低。由此,在变频空调等电机驱动的应用中,轻负载时的功率损耗与以往的IGBT相比,降低约56%,节能效果非常明显。
不仅如此,“R60xxMNx系列”利用ROHM多年积累的模拟技术优势,还实现了超强的短路耐受能力,减轻了因电路误动作等导致的异常发热带来的破坏风险,有助于提高应用的可靠性。
本系列产品已于2016年12月份开始以月产10万个规模投入量产,前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县),后期工序的生产基地为ROHM Semiconductor (Korea) Co., Ltd.(韩国)。欲了解更多信息,请访问
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<特点>
1. 业界最快的trr性能、低Ron、低Qg,有助于应用节能
一般MOSFET具有高速开关和低电流范围的传导损耗低的优点,设备正常运转时可有效降低功耗。“R60xxMNx系列”利用ROHM独有的Lifetime控制技术,不仅保持了业界最快trr性能,而且Ron和Qg更低,非常有助于变频电路的节能。
2.超强短路耐受能力,确保可靠性
通常,一旦发生短路,即具有电路误动作、流过超出设计值的大电流、引起异常发热、甚至元件受损的可能性。一直以来,因性能与短路之间的制约关系,确保超强的短路耐受能力是非常困难的,而“R60xxMNx系列”利用ROHM的模拟技术优势,对热失控的成因---寄生双极晶体管成功地进行了优化,可确保电机驱动所必须的短路耐受能力,有助于提高应用的可靠性。
3.自导通损耗微小
自导通是指MOSFET在关断状态下,高边主开关一旦导通,则低边MOSFET的漏极-源极间电压急剧增加,电压被栅极感应,栅极电压上升,MOSFET误动作。该现象使MOSFET内部产生自身功率损耗。而“R60xxMNx系列”通过优化寄生电容,可将该损耗控制在非常微小的最低范围内。
<应用>
空调、冰箱、工业设备(充电站等)
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