电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛

标题: 英特尔大连工厂非易失性存储制造投产 [打印本页]

作者: yuchengze 时间: 2017-9-23 13:12 标题: 英特尔大连工厂非易失性存储制造投产

英特尔大连工厂是英特尔在亚洲的唯一的晶圆制造工厂。经过8个多月的努力，英特尔大连非易失性存储(NVRAM)制造新项目7月初在大连实现提前投产。
去年10月，英特尔公司宣布投资55亿美元将大连工厂建设为世界上最先进的非易失性存储器制造工厂，该项目是迄今为止英特尔在中国的最大一笔投资。

新项目的存储产品是新的3D NAND存储产品，是世界上还没有人采用过的最先进技术，按照三维结构来制造存储单元。
关于Intel 3D XPoint，最早发表于去年8月的IDF大会，这是一种基于电阻的非易失性内存存储方案，应用代表包括基于该技术的Optane固态硬盘、DIMM内存条等，前者比传统固态硬盘快足足5-7倍，后者号称可比传统DDR内存提供最多4倍的高容量、最低1/2的成本。

欢迎光临电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛 (http://bbs.eccn.com/)