电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛

标题: S3C2440 SDRAM原理到驱动解释完整版（5） [打印本页]

作者: look_w 时间: 2017-10-24 20:52 标题: S3C2440 SDRAM原理到驱动解释完整版（5）

1.1.6

SDRAM写操作SDRAM的基本写操作也需要控制线和地址线相配合地发出一系列命令来完成。先发出芯片有效命令，并锁定相应的L-BANK地址（BA0、BA1给出）和行地址（A0～A12给出）。芯片有效命令发出后必须等待大于tRCD的时间后，发出写命令数据，待写入数据依次送到DQ（数据线）上。在最后一个数据写入后，延迟tWR时间。发出预充电命令，关闭已经激活的页。等待tRP时间后，可以展开下一次操作。写操作可以有突发写和非突发写两种。突发长度同读操作。

图2-54 SDRAM写操作时序图

欢迎光临电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛 (http://bbs.eccn.com/)