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标题: 功率MOSFET关断损耗计算攻略 [打印本页]

作者: yuchengze 时间: 2018-4-4 15:06 标题: 功率MOSFET关断损耗计算攻略

功率MOSFET的感性负载关断过程和开通过程一样，有4个阶段，但是时间常数不一样。驱动回路的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为功率MOSFET内部的栅极电阻，RDown为驱动电路的下拉电阻，关断时栅极总的等效串联栅极电阻RGoff=RDown+RG1+RG2。

(3)模式M3：t7-t8
从t7时刻开始，ID电流从最大值减小，VDS电压保持电源电压VDD不变，当VGS电压减小到VGS(th)时，ID电流也减小到约为0时，这个阶段结束。
VGS电压的变化公式和模式1相同，只是起始电压和结束电压不一样。
(4)模式M4：t8-t9
这个阶段为ID电流为0，VDS电压保持电源电压VDD不变，当VGS电压减小到0时，这个阶段结束，VGS电压的变化公式和模式1相同。
在关断过程中，t6~t7和t7~t8二个阶段电流和电压产生重叠交越区，因此产生开关损耗。
关断损耗可以用下面公式计算：

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