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标题: 汽车电子的更低RDS(on) MOSFET [打印本页]

作者: robin 时间: 2002-7-30 11:11 标题: 汽车电子的更低RDS(on) MOSFET

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor )的FDB045AN08A0, FDP047AN08A0和FDD16AN08A0 N- MOSFET，据称在42V汽车电子市场中，室温的导通电阻RDS(on)是最低的，4.5m欧姆。当用多个器件并联来控制大功率负载时，符合AECQ101标准的75V器件要有低栅电荷，以限制驱动电流的要求。

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