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标题: 不再头疼EMI问题，有效降低传导辐射干扰技巧集锦 [打印本页]

作者: yuchengze 时间: 2018-4-25 22:55 标题: 不再头疼EMI问题，有效降低传导辐射干扰技巧集锦

一直以来，设计中的电磁干扰(EMI)问题十分令人头疼，尤其是在汽车领域。为了尽可能的减小电磁干扰，设计人员通常会在设计原理图和绘制布局时，通过降低高di / dt的环路面积以及开关转换速率来减小噪声源。
但是，有时无论布局和原理图的设计多么谨慎，仍然无法将传导EMI降低到所需的水平。这是因为噪声不仅取决于电路寄生参数，还与电流强度有关。另外，开关打开和关闭的动作会产生不连续的电流，这些不连续电流会在输入电容上产生电压纹波，从而增加EMI。
因此，有必要采用一些其他方法来提高传导EMI的性能。本文主要讨论的是引入输入滤波器来滤除噪声，或增加屏蔽罩来锁住噪声。
图1是一个简化的EMI滤波器，包括共模(CM)滤波器和差模(DM)滤波器。通常，DM滤波器主要用于滤除小于30MHz的噪声(DM噪声)，CM滤波器主要用于滤除30MHz至100MHz的噪声(CM噪声)。但其实这两个滤波器对于整个频段的EMI噪声都有一定的抑制作用。
图2显示了一个不带滤波器的输入引线噪声，包括正向噪声和负向噪声，并标注了这些噪声的峰值水平和平均水平。其中，该被测系统主要采用芯片LMR14050SSQDDARQ1输出5V/5A，并给后续芯片TPS65263QRHBRQ1供电，同时输出1.5V/3A，3.3V/2A以及1.8V/2A。这两个芯片都工作在2.2MHz的开关频率下。另外，图中显示的传导EMI标准是CISPR25 Class 5(C5)。有关该系统的更多信息，请查阅应用笔记SNVA810。

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