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标题: 使用 Trace32 对 FLASH 编程——实例 [打印本页]

作者: look_w 时间: 2018-5-10 09:10 标题: 使用 Trace32 对 FLASH 编程——实例

实例（AM29F800）目标系统上有两块型号为 AM29F800 的 FLASH，每块 FLASH 的数据宽度为 16bit，两块合并成 32bit 宽度。每块 FLASH 有 1MB 的大小，它们的起始地址为 0x200000。
目标系统上还配置了 SRAM，大小为 8kB，地址范围是 0H 到 1FFFH。
为目标系统开发的 FLASH 编程软件为 FLASHprog.bin（大小为 450H 字节，二进制格式）。参数块被安排在 SRAM 的地址 0H 开始。
需要烧入目标系统 FLASH 的应用程序为 application.elf（ELF 格式，起始位置为0x200000）。这里需要说明的是，在联接产生 application.elf 时，必须通过联接脚本 - SCL 文件指定其起始位置为 0x200000。这样"Data.load.elf application.elf "命令就会将 application.elf 装载到从 0x200000 开始的地址空间。
对于这样的应用，需要编写一个控制脚本（CMM 文件），同时还要开发一个 FLASH的编程软件。下面首先介绍控制脚本的内容，然后给出了 FLASH 编程软件的流程。
控制脚本控制脚本的内容如下：
1）进行必要的目标系统设置，特别是片选配置，使得 SRAM 和 FLASH 都落在安排的地址空间中
2）将 FLASH 编程软件 FLASHprog.bin 装载到 SRAM 中地址 0x1200 处: Data.LOAD.B FLASHprog.bin 1200
3）在 FLSAH 编程软件的结束位置设置断点（break.set swbp），这样在执行结束后，控制可以交回给 Trace32
4）通知 Trace32 关于 FLASH 的配置，FLASH 编程软件的位置，参数块以及数据缓冲区的位置

1 2	FLASH.Create 200000--3fffff TARGET LONG FLASH.TARGET 1200 0 1000

此时 SRAM 的内存安排为：

5）擦除整个 FLASH
FLASH.Erase ALL
6）编程应用程序 application.elf
FLASH.Program ALL
Data.LOAD.elf application.elf
FLASH.Program OFF
执行 FLASH.Erase ALL 命令时，调用 FLASH 编程软件的擦除功能，相应的参数块填充为：

此时，数据缓冲区没有内容。
擦除结束后，遇到设置的断点，控制权交回给 Trace32，参数表中为返回的状态：

执行 Data.LOAD.bin application.bin 时，调用 FLASH 编程软件的编程功能，相应的参数块填充为：

此时缓冲区中填充了需要编程的数据。
编程结束后，控制权交回给 Trace32，参数表中为返回的状态：

如果没有错误发生，以上的编程过程会一直下去，直到 application.bin 中的数据全部传输完毕。
FLASH 编程软件FLASH 编程软件的流程为：
1）定义参数块的数据结构：
struct FlashParameter flash_param;
FlashParameter 的定义见上文。
2）定义每个功能对应的功能号：

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#define FLASH_PROGRAM             0x00000001
#define FLASH_ERASE                0x00000002
#define FLASH_CHIP_ERASE          0x00000005
…其它功能号

3）主控制流程：

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  switch ( flash_param.status )
  {
case FLASH_PROGRAM:
   flash_program();
   break;
case FLASH_ERASE:
   flash_erase();
   break;
…其它功能
  }
flash_program()  函数从参数块中获取编程的数据、大小以及编程的目标地址，
               实现对 FLASH 的编程功能。
flash_erase() 函数从参数块中获取擦除的目标地址以及大小，
            实现对 FLASH 的擦除功能。

4） SCL 文件

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RAM 0x200000
{
CODE 0x200000
{
   main.o (+RO)
   * (+RO)
}
APP_RAM +0x0
{
   * (+RW, +ZI)
}
}

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