标题:
工业级小容量ANND FALSH
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作者:
witte
时间:
2018-6-13 14:43
标题:
工业级小容量ANND FALSH
国几个主要手机大厂（
OPPO
，
VIVO
，华为）的需求持续火爆，导致这些工厂给
memory
大厂的
FORCAST
数量也是非常巨大
，
下半年的预测量是上半年的二倍。但是三星，海力士，镁光，东芝等大厂的产能有限，并且对于大容量的
NAND
制程纷纷转向
3D
，
3D
整个转产并不顺利，良率一直不高。以上的所有原因导致
DRAM
和大容量的
NAND Flash
市场价格一直上涨，价格居高不下，一些主流晶圆大厂三星，海力士，镁光，东芝等纷纷调整产能，停掉
一些利润不大的产线，积极出货大容量
DRAM
和
NAND Flash
（
EMMC
）。
NAND FLASH
行业由于大容量的利润随着价格不断飙涨，原厂利润也越来越好，这样导致很多原厂停产了小容量
SLC
等级的
NAND Flash
。三星停产
K9F1G08U0E
，东芝减产小容量
NAND flash
，海力士也准备停产掉
1Gb
的
H27U1G8F2CTR
。
Spansion
的小容量产品全线提价，并且告知客户缺货。
停产导致价格持续上涨，给中小型企业带来了巨大的压力，客户急需找到一个能够持续稳定供货，并且有一定技术实力的原厂。环顾整个小容量
nandflash
市场，目前只有韩国
ATO solution
公司能够完成这个使命。他们是一家专注于小容量
SLC NAND flash
的厂商，容量从
32MB
到
256MB
都有涉及
, 32MB/64MB
全球只有
ATO
在量产并且都有工业级和商业级。而且所有物料能够长期供货。他们具备一条
M8
晶圆产线使用，并且是自己独立研发的
nandflash
的产品，不受到其他公司专利权限制，
256Mbit (32Mx8Bit)NAND FLASH
型号
封装
工作温度
AFND5608U1-CKAK 12x20mm TSOP 0℃~70℃
AFND5608U1-CKCK 9x9mm FBGA 0℃~70℃
AFND5608U1-CKEK 9x11mm FBGA 0℃~70℃
AFND5608U1-CKAKI* 12x20mm TSOP -40℃~85℃
AFND5608U1-CKCKI 9x9mm FBGA -40℃~85℃
AFND5608U1-CKEKI 9x11mm FBGA -40℃~85℃
512Mbit (64Mx8Bit)NAND FLASH
型号
封装
工作温度
AFND1208U1-CKA 12x20mm TSOP 0℃~70℃
AFND1208U1-CKC 9x9mm FBGA 0℃~70℃
AFND1208U1-CKE 9x11mm FBGA 0℃~70℃
AFND1208U1-CKAI* 12x20mm TSOP -40℃~85℃
AFND1208U1-CKCI 9x9mm FBGA -40℃~85℃
AFND1208U1-CKEI 9x11mm FBGA -40℃~85℃
1G bit (128Mx8Bit)NAND FLASH
型号
封装
工作温度
AFND1G08U3-CKA 12x20mm TSOP 0℃~70℃
AFND1G08U3-CKC 9.0x9.0mm FBGA 0℃~70℃
AFND1G08U3-CKD 6.5x8.0mm FBGA 0℃~70℃
AFND1G08U3-CKAI 12x20mm TSOP -40℃~85℃
AFND1G08U3-CKCI 9.0x9.0mm FBGA -40℃~85℃
AFND1G08U3-CKDI 6.5x8.0mm FBGA -40℃~85℃
1Gbit Serial NAND Flash Memory
型号
封装
工作温度
ATO25D1GA-10ED WSON 8x6mm -30℃ ~ 85℃
ATO25D1GA-10ID WSON 8x6mm -40℃~85℃
ATO AFND1208U1
可以代替
Numonyx
停产
NAND512W3A2DZA6E ......
ATO AFND1G08U3
可以代替 三星停产
K9F1G08U0E......
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