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标题: Vishay推出新系列 P 通道 MOSFET Siliconix 器件 [打印本页]

作者: juliguo    时间: 2007-10-11 11:50     标题: Vishay推出新系列 P 通道 MOSFET Siliconix 器件

基于新一代 TrenchFET 芯片技术的新型 Vishay Siliconix 器件采用 PowerPAK SC-70 封装(2.05 mm×2.05 mm)时最大导通电阻额定值为 29 毫欧,采用标准 SC-70 封装(2.0 mm×2.1 mm)时为 80 毫欧,采用 SC-89 封装(1.6 mm×1.6 mm)时为 130 毫欧。

与市场上仅次之的 MOSFET 相比,这些新型 Vishay Siliconix 器件的规格表现了高达 63% 的改进。






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