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标题: K9W8G08U1M:8Gb NAND闪存 [打印本页]

作者: simppyx 时间: 2004-1-7 11:22 标题: K9W8G08U1M:8Gb NAND闪存

2003年十二月16日讯,Samsung公司推出业界首个8Gb NAND闪存器件K9W8G08U1M.它的结构为1Gbx8,工作电压2.7-3.6V.数据页的数据读取速度为50ns/字节.片内的写控制器能自动所有的编程和擦除功能,包括脉冲重复,内部确认和数据富余度.这种高密度器件能使存储子系统的高水平功能满足快速产品如数码相机,USB闪存驱动器,PDA和MP3播放器对存储器的快速增长的要求.NAND闪存特别适合用在高密度更低成本的数据存储解决方案如移动设备中.

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