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标题: 四招搞定MOS管选型 [打印本页]

作者: ndone 时间: 2019-12-4 13:12 标题: 四招搞定MOS管选型

　　怎么选择[url=http://www.ndone.cn/mosfet.html?ids=41]MOS管[/url]是新手工程师们经常遇到的问题，了解了MOS管的选取法则，那么工程师们选择的时候就可以通过这些法则去选取所要的MOS管了，从而让整个电路工作能顺利进行下去。不会因为MOS管的不合适而影响后面的各项工作和事宜。下面总结出如何正确选取MOS管的四大法则。
　　法则之一：用N沟道orP沟道
　　选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。
　　法则之二：确定MOS管的额定电流
　　该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。
　　法则之三：选择MOS管的下一步是系统的散热要求
　　须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。
　　法则之四：选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能
　　影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。
　　以上就是选取MOS管时的四大法则，希望能够普帮助到大家，提高设计的效率。
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