标题:
华润华晶CS16N65FA9R-G
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作者:
kwanghua
时间:
2022-11-24 11:21
标题:
华润华晶CS16N65FA9R-G
描述
CS16N65FA9R-G,硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损耗,改善了开关性能并增强雪崩能量。晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。包装形式为TO-220F,符合RoHS标准。
特征
•快速切换
•低导通电阻(Rdson≤0.56Ω)
•低栅极电荷(典型数据:50.5oC)
•低反向转移电容(典型值:10.4pF)
•100%单脉冲雪崩能量测试
•无卤素
应用
适配器和充电器的电源开关电路
作者:
kwanghua
时间:
2022-11-24 11:22
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