电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛

标题: 友顺-UTC N沟道功率MOSFET [打印本页]

作者: kwanghua 时间: 2022-12-12 13:36 标题: 友顺-UTC N沟道功率MOSFET

友顺-UTC N沟道功率MOSFET：
UF640L-TA3-T TO-220——18A, 200V, 0.18OHM
描述
这类N通道功率MOSFET场效应晶体管具有低导功率损耗、高输入阻抗、高开关速度、线性传递特性，因此可用于各种功率转换应用。UF640L-TA3-T适用于谐振和PWM变换器拓扑结构。
特性
* RDS（ON） < 0.18Ω @ VGS = 10V, ID = 10A
*超低门电荷(典型的43nC)
*低反向传输电容(CRSS =典型的100 pF)
*快速切换能力
*指定雪崩能量
*提高dv/dt性能，高坚固性

4N90CL-TF3-T TO-220F——4.0A，900V
描述
UTC 4N90CL-TF3-T是一种功率MOSFET结构，具有开关时间快、栅电荷低、导通电阻低、抗雪崩特性好等特点。这种功率MOSFET通常用于电力应用中的DC-DC，AC-DC变换器.
特性
*RDS(ON)<4.5Ω@VGS=10V，ID=2.0A*高速开关
*100%雪崩试验

2N150L-T3F-T TO-3PF——2.0A, 1500V
描述
UTC 2N150L-T3F-T提供优秀的RDS(ON)，低门充电和低门电压操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。
特性
* RDS(ON)≤13 Ω @ VGS = 10v, ID = 1.0A
*低反向传输电容
*快速切换能力
*指定雪崩能量
*改进的dv/dt能力，高坚固性

4N150L-T3F-T
TO-3PF——4.0A, 1500V
描述
UTC 4N150L-T3F-T是一种高压功率MOSFET，设计具有更好的特性，如快速开关时间，低栅极电荷，低导通电阻，并具有高坚固的雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效AC - DC转换器和电桥的高速开关应用电路。
特性
* RDS(ON)≤6.5 Ω @ VGS = 10V, ID = 2.0A
*高切换速度
* 100%雪崩测试

14N65L-TF3-T
TO-220F——14A, 650V
描述
UTC 14N65L-TF3-T是一种高压功率MOSFET，结合了先进的沟槽MOSFET，设计具有更好的特性，如开关时间快，栅极电荷低，低抗开态和高崎岖的雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
特性
*  RDS(ON)≤0.65 Ω @ VGS = 10V , ID = 7.0A
*快速切换能力
*雪崩能量测试
*提高dv/dt性能，高坚固性

18N65L-TF3-T
TO-220F——18A, 650V
描述
UTC 18N65L-TF3-T 是一种高压功率MOSFET，结合了先进的沟槽MOSFET，具有更好的特性，如快速开关时间，低栅极电荷，低导通电阻和高坚固的雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
特性
* RDS(ON)≤0.43 Ω @ VGS = 10v,ID= 9.0A
*快速切换能力
*雪崩能量测试
*提高dv/dt性能，高坚固性

相应方案的应用及元器件供应事宜，请联系深圳市光华创新科技有限公司销售部
服务专线：蔡先生  13723700510 TEL：+86-755-8301 3948（八线）
FAX：+86-755-8301 4248
QQ：2355284756       E-mail:2355284756@qq.com
http://www.kwanghua.cn

欢迎光临电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛 (http://bbs.eccn.com/)