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标题: 新型无底SO-8封装功率MOSFET [打印本页]

作者: robin 时间: 2002-8-19 11:42 标题: 新型无底SO-8封装功率MOSFET

7月31日讯，快捷半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出十八种新型N沟MOSFET，它封装在业界第一个无底封装，结合了比TO-263(D2-PAK)好得多的热性能和很低的导通电阻的优点。这种先进的无底封装有以下的优点：1)由于降低了芯片温度，可靠性和效率都更好，2)由于更低封装热阻，效率更高，3)每PCB面积有更高的电流能力，4)由于更低的封装电感和更低的栅电阻，降低开关时间，5)标准的SO-8封装，占位和出脚都兼容

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