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标题: BGA封装的双N/P沟的MOSFET [打印本页]

作者: robin 时间: 2002-8-19 11:42 标题: BGA封装的双N/P沟的MOSFET

7月29日讯，快捷半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出两种BGA封装的双N沟和双P沟的20V MOSFET，其物理特性和电性能都适合用在锂离子电池盒保护应用。四种器件FDZ2551N, FDZ2553N, FDZ2552P 和FDZ2554P都封在4x2.5mm表面安装的OSFET BGA封装，其漏极是共用的

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