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标题: Hittite发布两款无源GaAs MESFET I/Q混频器 [打印本页]

作者: juliguo    时间: 2007-12-28 16:12     标题: Hittite发布两款无源GaAs MESFET I/Q混频器

Hittite Microwave公司日前发布两款用于频率范围为37GHz的点对点无线电、WiMAX基础设施、测试装置和军事应用的无源GaAs MESFET I/Q混频器

HMC620LC4是一个可在37GHz频率范围内提供32dB镜像抑制、43dB LORF隔离度以及+22dBm稳定输入IP3性能的无源I/Q混频器/IRM。这个经过精心设计的双平衡混频器集成电路可确保出色的振幅和相位平衡,同时将变频损耗限制在标称值8dBHMC620是一个工作频率范围相同的紧凑型芯片混频器,可提供33dB的镜像抑制、45dBLORF隔离度以及+23dBm的输入IP3性能。这两款混频器都具有DC3.5GHz的出色中频带宽,可以用作镜像抑制混频器或单边带上变频器






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