电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛

标题: FDC6000NZ:新型FLMP封装双路N-MOSFET [打印本页]

作者: simppyx 时间: 2004-3-18 11:31 标题: FDC6000NZ:新型FLMP封装双路N-MOSFET

3月12日讯,Fairchild半导体公司推出一种双路N-MOSFET器件FDC6000NZ,它把Fairchild的Power Trench MOSFET硅技术和SuperSOT-6 FLMP封装组合起来,其结果是,先进的MOSFET功率开关的小尺寸(高度小于0.8mm)小占位面积(最大为9.0平方毫米)的封装能给锂离子电池盒保护提供严格的电性能和热性能.FDC6000NZ的耗散功率为1.6W,最大的稳态电流为7.3A,相当于或优于目前市场上TSSOP-8器件的电流能力,而比TSSOP-8封装的器件,占位面积降低55%,高度降低27%.

欢迎光临电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛 (http://bbs.eccn.com/)