Vishay推出适用于高温应用的新型高性能 Schottky 二极管第 5 代硅平台，以及具有低正向压降、低反向漏电流和较高的最大结温的8款新型器件。

Vishay 新型 Schottky 二极管系列采用亚微米沟槽技术，最大结温为 +175癈，适用于汽车及其它高温应用。器件采用符合 RoHS 的小型封装，以改善成本能耗比，并提供反向偏置安全运行区 (RBSOA)，以满足严格、极具成本效益的设计要求。击穿电压较高且稳定 (>115 V)，以提供电压抑制，优化功率密度，与前几代产品相比，该二极管系列的功率密度提升了 30%。即使如此，新型器件价格还最多可比 Vishay 3.1 代和 2.0 代平面型器件便宜 10%。