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标题: Infineon推出带有GaAs性能的CMOS RF开关BGS12A [打印本页]

作者: juliguo    时间: 2008-2-18 14:51     标题: Infineon推出带有GaAs性能的CMOS RF开关BGS12A

Infineon开始量产全球首款RF开关,其硅晶片采用CMOS工艺制造,可以提供与GaAs工艺制造的RF开关相当的性能,实现了技术上的突破。到目前为止,为达到GaAs开关的性能,基于CMOSRF开关需要采用专用的价格高很多的蓝宝石晶圆制造






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