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标题: Infineon推出900 V Superjunction MOSFET [打印本页]

作者: juliguo    时间: 2008-3-5 16:55     标题: Infineon推出900 V Superjunction MOSFET

Infineon发布900 V superjunction MOSFET,特定应用于高效SMPSswitched-mode power supply),工业和可再生能源应用中。接续了Infineon在电源半导体业界的创新历史,新款节能CoolMOSTM 900 V电源MOSFET系列克服了电源三极管制造的“硅限制”,使用标准TOTransistor Outline)封装为高压设计提供了一个可选择的方法。CoolMOS 900 V系列具有极低的静态和动态损耗,可以使设计更有效和更具成本收益,可用于LCD TV,太阳能供电系统,PCsilverbox”电源以及照明系统等应用。






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