tr518 程式ＤＥＢＵＧ(转载）

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TR518系列测试资料档侦错的注意事项：
1、原则一：Stand_V与Actual _V相同（限于R,L,C）,万不得已时才考虑修改。
2、原则二：量测值精确而真实，越接近Actual_V（主要指R,L,C及齐纳电压等） 越好，即Dev%越小越好（大好数应在+/-3%以内）
3、原则三：量测值越稳定越好，按F8看测量值小数点前后的跳动情况，或按F9，F10看统计分布图。
4、原则四：省时，即省去多余延时或通过改用其它模式，设置隔离点等以达到省时目的，其前提是须保证测量值精确而真实，稳定。
5、在测试资料档侦错前，必需先进行短路点学习，因为使用自动寻找隔离等以达到省时目的，其前提是须保证测量精确而真实，稳定。
6、特大电容在Open/Short学习时，可能会学成Short，而大电感则反之。
7、隔离点的选择，通过按F7或ALT+F7，或者加适当延时等修改后再按F7或ALT+F7由系统自动完成，绝大多数可达到效果，经验表明，隔离点太多，测量值可能不稳定，一般选择0-2个隔离点可以满足要求，并且隔离点的选择一般仅隔离一面，如果按F7或ALT+F7后，系统选择的隔离点太多，则要重新作自动隔离，以找到一种隔离点较少且测量效果最好的方案。
8、一般而言，以电流源当信号源测试的R是以相接元件较少的一端作为高点，而以电压源信号测试的C,L,R//C,R//L则以相接元件较少的一端作为低点，按ALT+F7可作自动选择隔离点而不互换高低点。
9、尽量使用重测功能，而少用平均值功能，以缩短测试时间。（本厂暂无平均值功能）
10、对于不稳定的步骤，考虑设RPT为5/D。
11、有加重测功能的步骤，其测试值是分布在上限边缘或是在下限边缘的则不必去修改。因为测试值若是在良品范围之外，系统会自动进行重测（边疆的重测亦会起到延时的效果）。而延迟时间加得太长，会影响到测试时间。
12、关于“-1”的使用场合：+/-Lm%可设为“-1”，以忽略其限制，经验表明，以下几种情况不提倡使用“-1”。
1）小电阻（如1.0-20HM），-Lm%勿取-1（0电阻除外），要确保能测出边锡短路；
因过小的电阻一般在Open/Short测试时，无法检出连锡。
2）DIODE反向压降测试，+Lm%勿取-1，因探针接触不佳开路时，电压降更大；
3）电容极性测试，-Lm%勿取-1，因探针接触不佳开关路时，电流会更小。
虽然因探针接触不佳开路时，DIODE的正向测试或电容容值会FAIL，但RETRY
时仅就不良步骤进行再测试。
13、对于无法准确测试的情形，比如：大电阻并联大电容，过小的小电容等，可考虑修改Stand_V/ -Lm%而保留测试，无论如何，不要采取删略（Skip）的下策，虽然有时这颗元件既便漏件也不可测，但并不表示错成其它任何元件都不可测。
14、据时间常数t=RC，且系统对大电阻提供的电流源会比小电阻小，故在整个网络中，大电阴须延时的机会会比小电阻多，过大电阻，按F7学习后，如得到的测量值不甚接近实际值或者不稳定，则可设DIY为10或以上，再按F7学习，如果延时须要太久，可考虑采用HIGH SPEED MODE R//C。
15、在线路图和零件表上没有列出感值的电感，可以按下F8键，以所量到的电感值当做标准值。对于感值在mH级以上的电感（包括变压器，继电器等线图），均补增R模式测试，且延时必须为10以上，亦考虑设RPT为5或D，使其呈现为较小电阻（此为防范选错针号，以及更确保测出内部开路的必要步骤）。
16、选择低频（MODE1）测试小电感时，同小电阻类似，量测值受探针接触电阻影响较大，可将上限适当放宽至30以上。
17、关于电容极性测试，一般可按如下方法试之：
设ACT_V为5~10V，（初设9V，试之不佳，在考虑将其改为5V等）
MODE为6（＜20mA＝（一般电流越大越好）
STD_V为0.2-0.5mA（此设定以可完全准确测出插反为准，可更大些）
HI-PIN为电容阳极
LO-PIN为电容阴极
-LM%可设至60-90。
18、作为旁路的小电容，一般上限允许较大误差，确保最低值满足要求即可。精度要求非常高的电容另虑。
19、对于100pF以下的小电容，如果不稳定，上限可宽40-80。
20、对于3nF以下的小电容，按F7学习失败，可尝试在offset设定200，500，2000等等，再按F7学习，最好先去除offset，再按如前所述试之。
21、大电容有时会遭误判，可以将该大电容的高低点互换试之。对于40uF以上的电容按F7学习采用MODE4测试，如果测量值不接近实际值，可将MODE换为8再试。因大电流充电，其充电曲线较陡。
22、所有二极体均采用正、反向双步骤测试，以更确保测出插反或错件，乃至元件不良。具体方法：
按CTRL+ENTER插入一步骤后，分别将Stand_V设置为9.9V，MODE为1，PRT为5/D。如并联大电容，则要足够延时，再按F8的Meas_V，然后以Meac_V修改Stand_V，设+/-Lm%为20-30（不提倡使用-1）。