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标题: 问个特SB的问题。。。大家帮帮忙 [打印本页]

作者: snowli 时间: 2004-6-8 15:02

我给你介绍一种最简单的ICT,你应该是在台资企业，就介绍TR518,让你有一个概念：
1. 何謂ICT？
ICT即在綫測試儀（In Circuit Tester）,是一大堆高級電錶的組合。電錶能測到，ICT就能測到，電錶測不到， ICT可能也測不到。
2. ICT能測些什麽？
Open/Short,R,L,C及PN結（含二極體，三極管，Zener，IC）
3. ICT與電錶有何差异？
ICT可對旁路元件進行隔離（Guarding），而電錶不可以。所以電錶測不到，ICT可能測得到。
4. ICT與ATE有何差异？
ICT只做靜態測試，而ATE可做動態測試。即ICT對被測機板不通電（不加Vcc/GND），而ATE則通電。

作者: snowli 时间: 2004-6-8 15:03

ICT量測原理 1. 量測R：單個R(mode0,1): 利用Vx=IsRx（歐姆定律），則Rx=Vx/Is.信號源Is取恒流（0.1uA—5mA）,量回Vx即可算出Rx值. R//C(mode2): 信號源Vs取恒壓（0.2V）、量回Ix,則Rx=Vs/Ix=0.2V/Ix算出 Rx值.. R//L(mode3,4,5): 信號源取交流電壓源Vs，籍相位法輔助. |Y’|Cosθ=YRx=1/Rx ,幷Y’=I’x/Vs 故：Rx=1/|Y’|Cosθ 2. 量測C/L：單個C/L（Mode0,1,2,3）：信號源取恒定交流壓源Vs Vs/Ix=Zc=1/2лfCx ,求得：Cx=Ix/2лfVs Vs/Ix=Zl=2лfLx ,求得：Lx=Vs/2лfIx C//R或L//R：籍相位法輔助 |Y’|Sinθ=|Ycx|,即ωCx’Sinθ=ωCx 求得：Cx=Cx’Sinθ (Cx’=Ix’/2лfVs) |Y’|Sinθ=|Ycx|,即Sinθ/ωCx’ =1/ωCx 求得：Lx=Lx’/Sinθ (Lx’=Vs/2лfIx’) 3. 量測PN結：（D、Q、IC）信號源0-10V/3mA or 30mA可程式電壓源,量PN結導通電壓 4. 量測Open/Short：即以阻抗判定：先對待測板上所有Pin點進行學習,R<25Ω即歸爲Short Group，然後Test時進行比較，R<5Ω判定爲Short，R>55Ω判爲Open. 5. Guarding(隔離)的實現：當Rx有旁路（R1）時，Ix=Is-I1≠Is, 故：Vx/Is≠Rx 此時取A點電位Va,送至C點，令Vc=Va, 則：I1=(Va-Vc)/R1=0,Is=Ix 從而：Vx/Is=Rx 程式的編寫 1、在T[測試]下，設定P“測試參數” 2、在E[編輯]下，編寫程式：步驟零件名稱實際值位置高點低點隔點1 2 3 4 5 删略量測值標準值上限% 下限% 延遲信號類別重測中停補償值偏差%。 1 R3 47K A1 21 101 0 0 0 0 0 0 47K 10 10 0 0 0 0 0 0 0 2 C22 100n D2 7 52 0 0 0 0 0 0 100n 30 30 0 0 0 0 0 0 0 3 L1 22u B2 1 87 0 0 0 0 0 0 22u 30 30 0 0 0 0 0 0 0 4 D5 0.7V C1 16 19 0 0 0 0 0 0 0.7V 20 20 0 0 0 0 0 0 0 3、 .進入L[學習],做Short Group學習.若有IC，還需做IC Clamping Diode學習。 4、在主畫面在下測試，檢驗程式及開始Debug。程式的Debug 編寫好的程式在實測時，因測試信號的選擇，或被測元件綫路影響，有些Step會Fail（即量測值超出±%限），必須經過Debug。 R：在E[編輯]下，ALT-X查串聯元件，ALT-P查幷聯元件。據此選好“信號”（Mode）和串聯最少元件的Hi-P/Lo-P，幷ALT-F7選擇Guarding Pin。 R//C：Mode2及Dly加大（參考：T=5RC） R//D（or IC、Q）：Mode1 R//R：Std-V取幷聯阻值 R//L：Mode3、4、5；根據Zl=2πfL，故L一定時，若f越高，則Zl越大，則對R影響越小 C：在[編緝]下一般根據電容值大小，選擇相應的Mode。如小電容（pF級），可選高頻信號（Mode2、3），大電容（ nF級）可選低頻信號（Mode0、1），然後ALT-F7 選擇隔離。3uF以上大電容，可以Mode4、8直流測試。 C//C：Std-V取幷聯容值 C//R：Mode5、6、7，由Zc=1/2лfC,故C一定時，f越高，Zc越小，則R的影響越小。 C//L：Mode5、6、7，幷且f越高效果越好。 L：F8測試，選擇Mode0、1、2中測試值最接近Std-V，然後Offset修正至準確。 L//R：Mode 5、6、7。 PN結：F7自動調整，一般PN正向0.7V（Si），反向（2V以上） D//C：Mode1及加Delay。 D//D（正向）：除正向導通測試，還須測反向截止（2V以上）以免D反插時誤判。 Zener：Nat-V選不低于Zener崩潰電壓，若仍無法測出崩潰電壓，可選Mode1（30mA），另外10-48V zener管，可以HV模式測試。 Q：be、bc之PN結電壓兩步測試可判斷Q之類型（PNP or NPN），Hi-P一樣（NPN）， Lo-P一樣（PNP），幷可Debug ce飽和電壓(0.2V以下)，注意Nat-V爲be偏置電壓,越大Q越易進入飽和，但須做ce反向判斷(須爲截止0.2V以上)，否則應調小 Nat-V。不良報表的閱讀不良零件位置圖： A B C D E 123456 R3 H1 D5 L2 L1 VH C22 H2 以H0代有上限值（標準值，L0代表下限值： L1表示：量測值介于L0與L0-（H0-L0）10%之間 L2表示：量測值介于L1與L0-（H0-L0）20%之間 VL表示：量測值低于L2 H1表示：量測值介于H0與H0+（H0-L0）10%之間 H2表示：量測值介于H1與H0+（H0-L0）20%之間 VH表示：量測值高于H2 不良記錄： ******Open Fail****** （48）（45 48）表示48點與短路組（45 48）斷開，可能是探針未接觸到PCB焊盤，或板上有斷路。 ******Short Fail****** （20）（23）表示20點與23點短路（R<5Ω），可能是板上有錫渣造成Short，裝錯零件造成Short，零件脚過長造成Short等。 *****Component Fail**** 1 R3 M-V：52.06K，Dev：+10.7% Act-V=47K Std-V=47K Loc:A1 Hi-P=21 L0-P=101 +LM：+10% -LM：-10% 表示：R3偏差+10.7%，可能爲零件變值，或接觸不良。若偏差+999.9%或很大，可能爲缺件、錯件超出標準值所在量程上限，（如47K在30K—300K量程內）；若偏差0.00% 或很小，可能爲短路，錯件超出其標準值所在量程下限。 ICT誤判分析 1.ICT無法測試部分： ⑴．記憶體IC（EPROM、SRAM、DRAM…） ⑵．幷聯大10倍以上大電容的小電容 ⑶．幷聯小20倍以上小電阻的大電阻 ⑷．單端點之綫路斷綫 ⑸．D//L，D無法量測 ⑹．IC之功能測試 2.PCB之測點或過孔綠油未打開，或PCB吃錫不好 3.壓床壓入量不足。探針壓入量應以1/2-2/3爲佳 4．經過免洗制程的PCB板上松香致探針接觸不良 5．PCB板定位柱鬆動，造成探針觸位偏離焊盤 6．治具探針不良損壞 7．零件廠牌變化（可放寬+-%，IC可重新Learning） 8. 治具未Debug好（再進行Debug） 9. ICT本身故障硬體檢測 1、開關板：診斷（D）----切換電路板（B）----系統自我診斷（S）----切換電路板診斷（S）若有B* C*表示SWB有Fail，請記錄幷通知TRI。C*有可能爲治具針點有Short 造成。 2、系統自我檢測：診斷（D）----硬體診斷（S）----系統自我檢測（S）有R、D項Fail可能爲DC板故障，有C、L項Fail可能AC板Fail，有Power 項Fail可能Power板Fail。也請記錄幷通知TRI。

作者: sprint 时间: 2004-6-8 22:12

受益匪浅！谢版主。
我原来在电话厂做过简单的电话板测试，太简单了，全手工，探针不过十多颗。
希望多出几期，我下载学习。对于分离元件的测试我能理解（个人觉得此时仪器相当于一个计算器），IC的测试岂不是要知道内部结构才行？
要做到熟练或优化测试需要一定时间。

作者: hp3070 时间: 2004-6-9 22:54

大哥：你把TR的东东都搬来了

作者: snowli 时间: 2004-6-10 17:01

没有办法，在坛子里的朋友有些是刚刚入门的，简单一点的会比较容易懂。

作者: RainFly 时间: 2004-6-10 17:01 标题: 问个特SB的问题。。。大家帮帮忙

公司要购买ICT测试基板
但是小弟还不知道ICT是什么东东，很是迷惑。

1）ICT具体是做什么的？
2）目前主要的ICT测试系统有什么？分别都有什么特点？
3）ICT能做到测试短路开路和元件的参数的测量吗？基本原理是什么？比如元件放在基板上可能参数就变了，它是怎么测试的。
4）ICT选点的原则是什么？即怎么选点？

以上。
各位大哥大姐。希望大家不吝赐教。。

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