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标题: superSRAM:没有软错误的低功耗SRAM [打印本页]

作者: linda_li 时间: 2004-7-6 13:47 标题: superSRAM:没有软错误的低功耗SRAM

6月17日讯, 瑞萨科技(Renesas Technology)公司推出一种新型的业界第一个实际上没有软错误的低功耗SRAM,称作superSRAM. 由于采用新的单元类型和DRAM电容器技术，与瑞萨科技先前的产品相比，软错误率大约减少了4位数，同时大大减小了元件尺寸、降低了功耗。这种新型SRAM将投入商业性生产，并用于移动应用中的16M位小功率SRAM。

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