标题: [求助]请问如何在程序中烧写FLASH [打印本页]
作者: strongchen 时间: 2005-3-18 16:55
系统复位会不会是watchdog (COP) 的原因？可以在进入RAM运行之前将COP关掉，或者在对FLASH操作时不断喂狗。
作者: 8808beter 时间: 2005-3-21 09:09
但我在程序开头就禁止了COP。
CONFIG1 = 0x29;
CONFIG2 = 0x1;
即使COP使能了，我的外部晶振是32.768K，也不会这么快复位。
在软仿真中看到FLASH地址保护寄存器的数值还是0xFF，我总觉得是这个没有赋值正确的原因！！
该怎么赋值FLASH地址保护寄存器请指点一二。
[此贴子已经被作者于2005-3-21 9:09:22编辑过]
作者: strongchen 时间: 2005-3-21 12:19
能不能把你的完整项目文件打个包发过来？我可以帮你调试一下，看看哪有问题。
作者: strongchen 时间: 2005-3-22 16:44
收到你的邮件了。大致看了一下，觉得有这些要注意的问题：
1. FLASH的擦写程序在编译时还是要放在FLASH区，在运行时再将其调入RAM区，然后执行。否则FLASH擦写程序无法载入芯片；
2. 在FLASH的擦写过程中要有一个读FLBPR的动作；
3. 对FLBPR的赋值请参见S12编程手册中常量的赋值，或者直接嵌入汇编语句也可；
4. 对FLASH擦写操作恐怕不能仿真，必须直接在芯片中运行才能看出结果。
注意以上几点，应该可以实现。祝你好运！
作者: 8808beter 时间: 2005-3-22 17:10
S12编程手册在哪里，全名是什么？
搬运后的指针怎么用C写？难道只能用汇编完成指针的跳转和返回。
[此贴子已经被作者于2005-3-22 17:10:18编辑过]
作者: strongchen 时间: 2005-3-22 17:18
这里可以下载：
http://www.metrowerks.com/MW/Support/dev_resources/Documentation_for_HC12_3.1.htm
作者: usbmcu 时间: 2005-3-23 12:31
908GP32跟S12编程手册有什么关系?
作者: 8808beter 时间: 2005-3-23 12:50 标题: [求助]请问如何在程序中烧写FLASH
我用HC908GP32，要在程序运行中烧写一段FLASH，现在只能用C+汇编来完成（本来想全用C的，可惜）。方法如下：
1、将擦写程序（只写了一个字节）定义在一个特定的区中，ROM的0x8080开始，长度要自己计算出来（可以先定义得很长，在仿真时看看长度就OK）
#pragma CODE_SEG APLICATION_ROM
void Store_id(void)
{
unsigned char i;
//erase
FLCR1 = 0x2;
FLBPR ;
IDFlash = 0;//要擦写的ROM地址
for(i=0;i<6;i++);//10us
FLCR1 = 0xa;
for(i=0;i<250;i++);//1ms
for(i=0;i<250;i++);
FLCR1 = 0x8;
for(i=0;i<3;i++);//5us
FLCR1 = 0;
for(i=0;i<5;i++);//1us
//write
FLCR1 = 1;
FLBPR ;
IDFlash = 0;
for(i=0;i<6;i++);//10us
FLCR1 = 0x9;
for(i=0;i<3;i++);//5us
IDFlash = IDSetBuf;//要赋的值
for(i=0;i<16;i++);//30us
FLCR1 = 0x8;
for(i=0;i<3;i++);//5us
FLCR1 = 0;
for(i=0;i<2;i++);//1us
}
#pragma CODE_SEG DEFAULT
2、将汇编的搬运程序定义在默认ROM中
#define Erase1Page 0x8080//源ROM
#define Erase1PageEND 0x8102
#define P_AddressInRAM 0x01b0//目的RAM
void CopySub(void)
{
unsigned char I1;//计数
I1 = 0;
asm{
LDHX #Erase1Page
MoveToRAM1:
LDA ,X
PSHH
PSHX
CLRH
LDX I1
STA P_AddressInRAM,X
}
I1++ ;//INC I1
asm{
PULX
PULH
AIX #$1
CPHX #Erase1PageEND
BLO MoveToRAM1
//开始执行擦写程序
TPA //CCR->A
PSHA //A进栈，保护中断允许标志
SEI //关中断
JSR P_AddressInRAM //跳到擦写程序
PULA //出栈
TAP //A->CCR，即将关中断前的标志数值赋回
RTS
}
}
3、在PRM中定义了烧写程序的地址
SEGMENTS
Z_RAM = READ_WRITE 0x0040 TO 0x0067;
RAM = READ_WRITE 0x0068 TO 0x019F;
APL_ROM = READ_ONLY 0x8080 TO 0x81FF;
ROM = READ_ONLY 0x8200 TO 0xFDFF;
END
PLACEMENT
DEFAULT_ROM INTO ROM;
DEFAULT_RAM INTO RAM;
_DATA_ZEROPAGE, MY_ZEROPAGE INTO Z_RAM;
APLICATION_ROM INTO APL_ROM;
END
4、要注意编译选项中优化的参数。因为没有地方调用Store_id（），编译也许会没有任何代码，可以用条件语句加上，如if(IDSetBuf==5) Store_id();，只要if条件永不会成立即可。
5、FLBPR的赋值实在是弄不清楚了，英文书也太厚了，因为它在FDFF之后的系统ROM中，用一般CONST的赋值方法好象不行（有专家帮忙出例子吗），我直接将S19代码插入来解决的。
如：
S113FCC0500445034E4D510645034E4E52141D8AB1//程序
S104FCD080AF
S104FF7EE29C//地址保护寄存器FF7EH
S105FFE0FB958B
S105FFE4FBEB31
S105FFFAFCAE57
S105FFFEF1000C
S9030000FC
大家可以看到，基本上按地址从小到大排列的，S1指数据，04表后接的数量，E2是数值，9C是校验码。
04+FF+7E+E2=263H
FF-63=9C就完了。
另外我还想了另外一种方法，就是把擦写程序（纯C的）和主程序分开编译，再COPY到一起（就象上面5提到的ROM赋值）。在主程序中定义擦写程序的地址在RAM中，所以上电后先运行搬运程序，将擦写程序搬到RAM，以后就可以直接用了。但我自己没有试验。
另外，提一下，资料都是英文的，也没有各种功能的样例程序，实在太不方便了。象ARM就有很好的样例程序，照搬就行，真是苦呀——看英文。
[em01]
[此贴子已经被作者于2005-3-18 16:22:26编辑过]
[此贴子已经被作者于2005-3-23 12:50:45编辑过]
作者: strongchen 时间: 2005-3-23 15:23
咳，问题一下回答得太多，都弄混了！请到这里下载8位MCU的编程手册：
http://www.metrowerks.com/MW/Support/dev_resources/Documentation_for_HC08_3.0.htm
作者: 8808beter 时间: 2005-3-23 16:23
建议大家没事最好不要看版主提到的书，全英文的，想看的主题也实在不好找。强烈建议相关头们搞个中文手册出来，只将常用的几条编译选项列入即可。
-Cc,-OnCstVa
作者: forthlab 时间: 2005-6-16 20:29
请问8808beter：搞定了没有？能把结果公开一下么？
作者: 8808beter 时间: 2005-6-17 09:18
第一篇就是结果呀，我完成后编辑过，OK的
作者: 8808beter 时间: 2005-6-17 09:29
还有就是用完的RAM区只能自己使用，不能简单地定义到堆栈的位置。
你可以计算程序执行的时序，在不擦写时将这片RAM区用于他用。这个方案显然是用于比较富裕的RAM中。好的是整个擦写程序只占百个字节。
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