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标题: NTLTD7900：电池管理FET占位小于48% [打印本页]

作者: wilfrid 时间: 2002-10-30 11:11 标题: NTLTD7900：电池管理FET占位小于48%

10月24日讯，安森美公司推出双N-沟共漏功率MOSFET NTLTD7900，用于手持电子如手机，寻呼机和PDA的锂离子电池管理。

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