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标题: ATF-531P8：6 GHz单电压E-PHEMT场效应管 [打印本页]

作者: wilfrid 时间: 2002-11-18 15:32 标题: ATF-531P8：6 GHz单电压E-PHEMT场效应管

11月1日讯，安捷伦公司推出单电压E-pHEMT(增强型伪同晶高电子迁移率晶体管) FET(场效应管)系列的第二款产品ATF-531P8。该款产品采用微型LCC(无引线芯片载体)封装形式，是专门为高达6 GHz的无线应用而设计的。

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