标题: MC9SDP256B片内FLASH能反复擦写多少次啊？ [打印本页]
作者: wing2001yh 时间: 2006-4-22 19:16 标题: MC9SDP256B片内FLASH能反复擦写多少次啊？
MC9SDP256B片内FLASH能反复擦写多少次啊？
若反复擦写影响芯片寿命应该怎样解决呢？各位大侠指教！
作者: l3hh161821 时间: 2006-4-24 09:05
据说HCS12的FLASH可反复擦写1000次以上，以前的HC12是100次以上
作者: seuafu2005 时间: 2006-4-24 11:32
是的，很多s12系列的单片机flash可以有1000次以上的擦写周期
DP256B的flash擦写次数是最少10次，但是EEPROM可以有10000次以上
作者: Jinguang 时间: 2006-5-2 02:30
我看到MC9S12DG128的DATASHEET里面说它的FLASH WRITE ERASE CYCLES是10，如果真的只能檫写10次，那不是用10次以后就不能用了？这么贵的片子
作者: dreamcatcher 时间: 2006-7-20 15:15
我认为擦写周期和擦写次数是不同的概念
作者: strongchen 时间: 2006-7-20 17:43
10次是指在极端的条件下（－40度和125度）。在正常条件下完全可以达到数百次的擦写周期。
作者: yyy820211 时间: 2006-9-6 10:33
FLASH可反复擦写1000次以上，以前的HC12是100次以上
EEPROM可以反复擦写10000次
[此贴子已经被作者于2006-9-6 10:33:18编辑过]
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