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标题: cw中 ROM以及FLASH相关问题请教 [打印本页]

作者: mist_24 时间: 2006-7-4 15:35 标题: cw中 ROM以及FLASH相关问题请教

CPU ROM空间不够用我想在FLASH里面指定一个地址，用来定义一个大的数组，同时在程序内部要对这个数组进行读写操作，请帮忙解决一下  谢谢

作者: seuafu2005 时间: 2006-7-4 16:21

就是在线烧写flash咯？
你用的是哪个芯片，给出芯片的具体型号

作者: mist_24 时间: 2006-7-6 17:04

GZ48 用汇编语言已经擦写成功
用C没成功
谁用C语言擦写成功能否共享一下程序谢谢！！

作者: strongchen 时间: 2006-7-7 12:13

用C直接调用这个汇编程序就可以了。

作者: guantingwei 时间: 2006-7-7 12:50

把那几个程序的起始地址转为函数类型就可以了。

作者: mist_24 时间: 2006-7-17 14:10

但是现在汇编程序在擦完成以后的2个2ms内不让进行写操作，不知道各位有没有遇到这个情况？已经解决这种情况的办法。

作者: strongchen 时间: 2006-7-17 15:19

FLASH操作的各个步骤直接会需要有一定的延时，请参看数据手册中的具体数值。

作者: guantingwei 时间: 2006-7-17 18:39

对的，写Flash到底是一个物理过程，需要电荷的积累

作者: mist_24 时间: 2006-7-18 09:34

那就是说在擦除时，除了要满足擦除过程所要求的时间以外，还需要2，3ms的电荷的积累时间,不是不这样啊？

我遇到的情况是在满足擦除过程所要求的时间延时后，又多出来2，3ms的时间，这个2，3ms的时间是擦除操作后的固有时间吗？不知道各位在进行flash擦除后是否也有这2，3ms的时间不让写flash

作者: strongchen 时间: 2006-7-18 09:36

这个延时是怎么产生的？等待某个标志位？

作者: mist_24 时间: 2006-7-18 10:57

我现在就是不知道这个时间是怎么产生的，我是在擦除之后紧接着就进行了写flash函数的调用其中用了一个I/O口的高低电平变化来检测擦和写完成与开始的时间，就是这样才发现擦和写之间有2，3ms的时间。擦和写所要求的时间都已经满足而且没有额外的时间设置，这个时间到底是怎么产生的？

作者: strongchen 时间: 2006-7-19 10:50

FLASH的整体擦除最少需要4mS的时间。但所有的延时都应该是由你的软件产生的，FLASH本身并不能使你的程序延时，而且这个时候程序也并没有在FLASH中执行。

作者: mist_24 时间: 2006-7-20 11:35

我用的是页擦除，现在的时间是6ms 总的来说就是多了2，3ms

作者: strongchen 时间: 2006-7-20 14:20

所有的延时应该都是由你的程序自己产生的。

作者: mist_24 时间: 2006-7-20 16:53

谢谢我找找看吧，有问题再来请教

作者: mist_24 时间: 2006-7-21 08:17

问一下：页擦除要多长时间，整体擦除需要多长时间，写一次要多长时间？
谢谢了

作者: strongchen 时间: 2006-7-21 09:08

这些参数在数据手册中都有。

作者: mist_24 时间: 2006-7-21 09:47

我问的不是书上写的书上写的我也知道
有没有实际测试的时间？

作者: strongchen 时间: 2006-7-21 10:58

数据手册的参数肯定是正确的。

作者: mist_24 时间: 2006-7-21 11:33

现在发现那2，3ms的时间是程序拷贝时间，不知道这么长时间是否正常？

作者: strongchen 时间: 2006-7-21 14:19

什么程序拷贝时间，从哪拷贝到哪？

作者: mist_24 时间: 2006-7-21 16:05

将flash操作程序拷贝到RAM
难道不是这么操作的吗？
好像有人说过直接调用是怎样的操作过程阿

作者: guantingwei 时间: 2006-7-22 12:38

如果使用监控程序还需要拷贝那些code吗？还是有什么特殊需求？
一般使用监控程序就够了，很方便的。

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