标题: FAASH的高压允许位(HVEN)无法置起??? [打印本页]
作者: dchuser 时间: 2006-9-22 21:07 标题: FAASH的高压允许位(HVEN)无法置起???
我在用CodeWarrior for HC08 V5.0对MC68HC908GP32进行在线FLASH编程,其FLBPR保护积存器材设置为OXFF，但是发现无法对FLCR1(FLASH控制寄存器)的高压允许位无法置起，因而无法对FLASH进行擦除，不知是什么原因？
谢谢各位！！！ 急！！！
作者: strongchen 时间: 2006-9-25 09:47
只有当PGM或ERASE位置1，而且按照FLASH操作的步骤正确操作时，HVEN位才能置1。
作者: dchuser 时间: 2006-9-25 19:57
我就是按照您您所说的方法进行的,先读FLBPR,再设置PGM或ERASE位,然后进行高压允许位HVEN的设置,可就是无法置起!.谢谢strongchen!!
作者: strongchen 时间: 2006-9-26 09:34
延时时间对否？COP关掉否？
作者: dchuser 时间: 2006-9-26 20:52
这些都设置过了!
作者: strongchen 时间: 2006-9-27 09:25
仔细检查一下你的总线时钟频率。如果还不行，只有换一块芯片试试了。
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