电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛

标题: 对于MC9S12XDP512,主程序想放在芯片内FLASH,数据放在芯片外的FLASH,如何处理比较好? [打印本页]

作者: wang_r00 时间: 2007-3-18 16:17 标题: 对于MC9S12XDP512,主程序想放在芯片内FLASH,数据放在芯片外的FLASH,如何处理比较好?

谢谢

作者: strongchen 时间: 2007-3-19 09:28

S12X的存储器是可以扩展的。不明白你说的如何处理指的是什么。

作者: wang_r00 时间: 2007-3-19 09:45

我的固定数据大约要占用100多兆，S12X的存储器显然不够，需外扩128M的FLASH。我们的设计是固定数据是上位主机通过串口和S12X CPU通信，然后S12X CPU把收到的数据写到128M的FLASH里，所以CPU的主程序应该在CPU内。
但S12如采用外扩总线方式，好像所有程序都放在外存储器里。
请版主赐教，谢谢！

作者: strongchen 时间: 2007-3-19 09:47

不是的，你可以将程序和一部分数据放在内部FLASH，将另一部分数据放在外部FLASH中。

作者: wang_r00 时间: 2007-3-19 10:09

是采用外扩总线方式吗？

作者: strongchen 时间: 2007-3-19 10:31

对。

作者: wang_r00 时间: 2007-3-19 11:16

采用外扩总线方式，S12X CPU地址总线总共23位，寻址空间为8M。从MC9S12XDP512的data sheet上的memmory mapping control看，只有0x14_0000到0x40_0000才是外部设备的寻址空间，共2.75M；而不是0x00_0000到0x7F_FFFF,8M的寻址空间。这不利于我存储及读取数据。
不知我是否理解正确？

作者: strongchen 时间: 2007-3-19 15:21

如何不利于存储及读取数据？内部FLASH和外部FLASH在使用上基本没有什么区别。

作者: wang_r00 时间: 2007-3-21 09:18

谢谢版主的解答。
可能我没表述清楚。
采用外扩模式，主程序放在CPU 片内FLASH内，那CPU 的外扩寻址空间最大是多少，其起始地址和截止地址又是多少。

作者: strongchen 时间: 2007-3-21 10:19

S12X整个8M的寻址空间中，只要是内部没有占用的地址，都可以用作外部扩展地址，并非只有2.75M的外部寻址空间。

作者: wang_r00 时间: 2007-3-21 13:26

我有些不明白版主说的“内部没占用的地址”。
主程序放在内部FLASH，那它是占用了还是没占用地址？还有运行主程序时用的内部RAM，它是占用了还是没占用地址？
现在设计急极需要扩展128M的FLASH，但总对MC9S12XDP512外扩总线内容搞得不是很清楚。版主是否有相关例子。

作者: strongchen 时间: 2007-3-22 09:42

例如，S12XDP512的0x14_0000～0x3F_FFFF的250K的空间本身就是扩展地址，可以直接使用；另外，S12XDP512的FLASH空间为0x40_0000～0x7F_FFFF，但实际上它的内部FLASH只占用了0x78_0000～0x7F_FFFF的512K的空间，那么剩下的另外的0x40_0000～0x77_FFFF的3.5M的空间都可以作为扩展地址来使用。同样，未使用的RAM和FLASH空间也都可以作为扩展地址来使用。

作者: wang_r00 时间: 2007-3-22 11:12

终于盼来了版主的回应！谢谢版主。
如果我要外扩128M的FLASH，版主可否建议一个方案？万分感谢！

作者: wang_r00 时间: 2007-3-22 11:17

终于盼来了版主的回应！谢谢版主。
如果我要外扩128M的FLASH，版主可否建议一个方案？万分感谢！

作者: strongchen 时间: 2007-3-22 15:27

这只能采用I/O口外扩地址译码器。或者用串行通讯的方式。你也可以看看S12UF32，它可以与128M的FLASH直接接口。

欢迎光临电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛 (http://bbs.eccn.com/)