电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛

标题: 用flash做eeprom时，现场受干扰数据被改变的概率有多大？ [打印本页]

作者: zhoufreescale 时间: 2007-4-14 16:42 标题: 用flash做eeprom时，现场受干扰数据被改变的概率有多大？

请教:
用flash做eeprom时，现场受干扰数据被改变的概率有多大？

作者: strongchen 时间: 2007-4-16 09:30

这个很难说...但是应该与使用外部EEPROM的概率是差不多的。

欢迎光临电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛 (http://bbs.eccn.com/)