标题: [求助]9S12XD系列芯片外扩RAM问题 [打印本页]
作者: 4543464 时间: 2007-4-18 13:44 标题: [求助]9S12XD系列芯片外扩RAM问题
版主大人：
我现在做9S12XD系列芯片外扩512Kbytes RAM。现在遇到的问题是，芯片和RAM如何连接。芯片的UDS和ADDR0是重合的，如果RAM想接UDS的话，那么RAM的ADDR0就不知道接什么了，是顺延接ADDR1还是其他的。还有就是外扩的RAM的片选信号接CS几（CS0,CS1,CS2,CS3）。我知道接CS几是和外扩RAM的地址有关，但是我不知道外扩RAM的地址是多少。请版主帮帮忙。谢谢！！
还有就是能不能告诉我一下9S12XDP512的datasheet中Memory Mapping Control (S12XMMCV2)和Memory Mapping Control (S12XMMCV3)，这两个同时介绍内存分布的章节有什么区别，V2，V3表示什么。如果要看其内存分布的话，是不是看一个就可以了
[此贴子已经被作者于2007-4-18 13:44:42编辑过]
作者: strongchen 时间: 2007-4-18 14:52
首先要了解S12X虽然是16位的MCU，但是它的一个地址单元对应的是一个字节。所以，当外扩RAM为8位的结构时，则地址是从ADDR0开始一一对应；而当外扩的RAM为16位的结构时，S12X的ADDR1应连接到外部RAM的ADDR0，S12X的ADDR0则当作UDS，即高数据位选择来使用。
作者: strongchen 时间: 2007-4-18 15:00
第二个问题，关于CS0到CS3的使用，你可以看9S12XDP512的数据手册第39页的图，就很清楚了。所有那些MCU内部资源没有占用的地址，都可以用于外部扩展。针对不同的地址区域，就会有相应的CSx的低电平输出。
作者: strongchen 时间: 2007-4-18 15:07
V2和V3是文档的版本。看V3部分吧，V2不用管它了。
作者: 4543464 时间: 2007-4-18 15:27
谢谢版主了。解释的真清楚。我明白了
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