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标题: EEPROM&FLASH的问题！！！ [打印本页]

作者: sunsetman 时间: 2007-6-4 22:25 标题: EEPROM&FLASH的问题！！！

我写的EEPROM的程序在写入程序后在没有关闭电源时可以读回数据（仅是重启动），但是在关闭电源后数据基本是随机的，无法读回数据了。检查EEPROM是PROGRAMMED，不知道是什么原因，我用的是16mhz晶振。ECLKDIV设为4A，是根据芯片资料推算的。

作者: strongchen 时间: 2007-6-5 09:59

什么芯片？看起来是你的EEPROM区还是被RAM覆盖了。

作者: sunsetman 时间: 2007-6-5 21:22

是S12128DG，我是在0X400-0X800写数据的

作者: strongchen 时间: 2007-6-6 10:04

DG128的RAM的上电缺省地址为0x0000～0x1FFF。如果不移走的话，就把EEPROM覆盖掉了。

作者: tonmey 时间: 2007-6-7 21:12

谢谢了，我现在用FLASH试了以下，但是为什么我的FLASH不写入呢？程序基本和EEPROM的一样，只是把寄存器名字改了，做整体擦除时芯片还会上锁。我是按照芯片资料给的顺序写的，寄存器也检查完成了FLASH动作，只是没有写入。不知道是什么原因。
我的程序是这样的：
void FLASH_WR(word data,volatile word* FLASH_Addr) {
if(!FCLKDIV_FDIVLD) FCLKDIV=0x4a;
FSTAT=0x30;
*FLASH_Addr=data;
// PPAGE=(FLASH_Addr>>16); Do not have to set between 4000-7fff
FCMD=0x20;
FSTAT_CBEIF=1;
if(FSTAT_PVIOL)FSTAT_PVIOL=1;
else if(FSTAT_ACCERR)FSTAT_ACCERR=1;
else if(!FSTAT_CBEIF){
while(!FSTAT_CCIF);
}
}
请教高手是什么原因？？调用时是这样写的：FLASH_WR(a,(volatile word*)(0x4000));

作者: strongchen 时间: 2007-6-8 10:03

把整个project贴出来看看吧。

作者: wf_car 时间: 2007-6-9 20:37

上电缺省地址为0x0000～0x1FFF。如果不移走的话，就把EEPROM覆盖掉了。
请问如何移走？

作者: seuafu2005 时间: 2007-6-11 14:00

设定相应的寄存器INITRM， INITEE等，给ram或eeprom设定不同的地址空间
可以看相应的数据手册

作者: zhudongpo 时间: 2007-6-12 10:48

请问在设定相应的寄存器INITRM， INITEE等，给ram或eeprom设定不同的地址空间后，
PRM文件需要改动吗？应该如何修改呢？
谢谢了。

作者: zhudongpo 时间: 2007-6-12 17:40

http://bbs.chinaecnet.com/uploadImages/INITRM.rar
使用DP512因为EEPROM和RAM有重叠区域，现想将RAM映射到0x4000处，可是在使用RTI后，
程序就不能运行了，麻烦各位给看看，什么地方有问题。谢谢了

作者: zhudongpo 时间: 2007-6-14 10:38

顶一下

作者: seuafu2005 时间: 2007-6-14 14:50

注意设置后，各个空间区域不要有重叠

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