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标题: 芯片无法进行全擦除 [打印本页]

作者: cwj528 时间: 2007-7-31 21:54 标题: 芯片无法进行全擦除

芯片无法进行全擦除(MASS ERASE),特请教版主:
我的芯片--9S12UF32,用BDM对这块片子的两个16K的FLASH页的各自的前64字节进行编程试验(PPAGE分别赋值0x3E和0x3F,起始地址同为FLASH页窗口的起始地址:0x8000,编程数据为随机数,长度64 byte),然后芯片的FLASH 内容再也无法读出和无法进行全擦除(MASS ERASE),在满足进入特殊单片模式的条件下,读BDM状态寄存器为0x20(意味着没有进入特殊单片模式);此时,读PPAGE值为0x3F(复位值为0x00),读INITEE值为0x79(复位值为0x01).请版主和各位高人指教.

作者: strongchen 时间: 2007-8-1 08:31

你用的是什么软件和硬件工具？

作者: cwj528 时间: 2007-8-1 08:44

自己做的

作者: strongchen 时间: 2007-8-1 08:49

是BDM接口的还是串行接口的？

作者: cwj528 时间: 2007-8-1 09:20

BDM，对不起，实际是同一问题，我却开了两个主题。关于另一个问题（如何进入9S12的BDM模式），也请您在这里指教，谢谢！

作者: cwj528 时间: 2007-8-1 09:23

我的片子是9S12UF32,我多次用过MASS ERASE,但全部擦除失败。请问：这个片子除了Flash外，还有专门的EEPROM吗？如果有的话，我在文档中却找不到它的擦除资料。

作者: cwj528 时间: 2007-8-1 09:34

不进入BDM模式，通过BDM应该可以完成“全部擦除”动作吧

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