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标题: [求助]aw60,内部晶振与外部晶振的抗干扰性为什么会不同？ [打印本页]

作者: purplewpp 时间: 2007-8-6 10:52 标题: [求助]aw60,内部晶振与外部晶振的抗干扰性为什么会不同？

大家好：
我现在遇到一个问题，产品在试产的时候，发现用内部晶振，因精度不高，会导致机器与机器之间的时间有较大的差异；在改用外部晶振后，时间差异是没有了，但发现改用外部晶振后，机器的抗干扰能力大大下降，几台机器同时运行会出现干扰问题，程序会突然掉电，或是程序跑飞。比例：大概为内部晶振在实验170多个周期后，可能会出现上述问题；而用外部晶振则在4-8个实验周期后，就可能会出现上述问题，且反复出现的频率很大。

内部晶振的设置： ICGC2 = 0x00 ; ICGC1 = 0X44;
外部晶振的设置： ICGC2 = 0x00 ; ICGC1 = 0XF6;外部晶振为8M

请问这是什么原因，有解决的方法吗？
谢谢！

作者: strongchen 时间: 2007-8-6 16:49

采用外部晶振电路时当然受外部的影响更大。所以如果PCB布板不是很好，就会出现更多EMC的问题。通过改进PCB布板，完全可以解决。

作者: purplewpp 时间: 2007-8-8 16:10

版主：
如果PCB无法改变，有没有其它的方法，可以提高其抗干扰性。
谢谢

作者: xuhuadong 时间: 2007-8-9 10:46

出厂时校准为2%，应该可以吧
自己再校准以下，内部晶镇校准0。2%
www.myhcs08.com有介绍

作者: KingZhang 时间: 2007-8-9 10:50

内部晶振出厂有个ICG 校正值在FLASH中,需要读到ICGTRM寄存器才起使用,像下面这样,应该能提高点精度,你看下.

ICGTRM = *(unsigned char*)0xFFBE; /* Initialize ICGTRM register from a non volatile memory */

作者: purplewpp 时间: 2007-8-10 14:31

我加了ICGTRM = *(unsigned char*)0xFFBE; 可是精度没有任何的提高。和没加没有区别。
如果要自己校准，是每一个产品上芯片都要校准一遍，还是用一个实验数值，给所有的芯片校准。

作者: purplewpp 时间: 2007-8-10 14:37

ICGTRM = *(unsigned char*)0xFFBE;这种校准方法，是不是对SCM，FEI方式都起作用？

作者: purplewpp 时间: 2007-8-10 14:53

我在FREESCALE的网站上下载了一个校准TRIM的文档，但是对MC9S08GB/GT 的ICG进行校准的，名称为AN2496，我想问此文档是不是也适用于AW60

作者: purplewpp 时间: 2007-8-10 15:15

AW60 中的ICGFLTU，ICGFLTL 起什么作用。Filter value 控制DCO 的频率是什么意思？
谢谢

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