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标题: 请斑竹回答，关于9S12DG128的EEPROM擦除时钟频率问题 [打印本页]

作者: BHLT123 时间: 2007-8-6 10:54 标题: 请斑竹回答，关于9S12DG128的EEPROM擦除时钟频率问题

问题一：

根据英文数据书上写的：
“The Flash and EEPROM program and erase operations are timed using a clock devided from the oscillator using the FCLKDIV and ECLKDIV registers respectively.The frequency of this clock must be set within the limits specified as f(NVMOP)”.

这是否意味着以下公式成立：

f(NVMOP)=晶振频率/ECLKDIV ， f(NVMOP) ∈ [150KHz , 200KHz]？

我用4MHz晶振，当 ECLKDIV 设置为 0x14 时，f(NVMOP) 是否就等于 200KHz ？

另外一个问题，

当我用ECLKDIV = 0x14时，EEPROM擦写均可以实现，且擦除EEPROM中 2 * Word 需要用时 20ms；

当我用ECLKDIV = 0x00时，EEPROM也能实现擦写功能，而且擦除用时更短(8ms左右)！这是为什么呢？是否跟问题一里边的f(NVMOP) ∈ [150KHz , 200KHz]矛盾？？

作者: strongchen 时间: 2007-8-6 16:45

FCLK=(PRDCLK)/(1+FDIV[5:0])
EECLK=(PRDCLK)/(1+EDIV[5:0])
你可以在FLASH或EEPROM的数据手册中的图4－1中看到这2个公式。另外，FLASH和EEPROM的频率应该设置在150K～200K的范围内。如果超出这个频率，也许擦写还可以实现，但是对可靠性或是FLASH/EEPROM的寿命是有很大影响的。

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