电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛

标题: [求助]MC9S12DG256的EEPROM问题。 [打印本页]

作者: yjbmtc 时间: 2007-8-6 15:19 标题: [求助]MC9S12DG256的EEPROM问题。

版主大人：
我用MC9S12DG256的EEPROM保存一些标定数据，发现能够写入并且读取，但是用BDM调试工具无法看到写入的结果，都是0XFF，或者变一次以后就不变了，看原来的帖子，说可以在PRM文件中加上这么一句即可：

/* unbanked FLASH ROM */
ROM_4000 = READ_ONLY 0x4000 TO 0x6FFF;
EEPRO_RM = READ_ONLY 0x7000 TO 0x7FFF;
ROM_C000 = READ_ONLY 0xC000 TO 0xFEFF;

这是针对MC9S12A512的芯片的。

我试着根据MC9S12DG256加入EEPRO_RM = READ_ONLY 0x0400 TO 0x0FFF; 可还是原来的问题，请版主帮忙解答，谢谢啦！！

作者: strongchen 时间: 2007-8-6 16:22

修改PRM文件指示告诉编译器如何生成地址代码。真正要在物理上修改EEPROM的地址，还要设置INTEE寄存器。

作者: yjbmtc 时间: 2007-8-6 21:20

版主大哥，我不是要修改EEPROM的地址，就是在程序修改EEPROM时，想通过BDM调试窗口观测修改的结果，问题就是我原来说的，写入一次以后就不变了，不能连续变化，但是读取写入的值是对的，请问如何才能随时观测EEPROM的变化情况？？

欢迎光临电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛 (http://bbs.eccn.com/)