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标题: MB85R1001:下一代大容量非易失性存储器 [打印本页]

作者: silverwolf7516 时间: 2004-12-8 14:30 标题: MB85R1001:下一代大容量非易失性存储器

11月17日讯, Fujitsu Microelectronics America(FMA)公司推出1Mb铁电随机存取存储器(FRAM) MB85R1001(x8位)和MB85R1002(x16位).这是迄今为止所开发的容量最高的FRAM.新的FRAM还具有高速读和写操作,低功耗和长数据保存期.这两种新器件采用最新的0.35um 1T1C单元技术.

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