电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛

标题: 依然是MC68HC908MR32的FLASH数据存储问题，谢谢斑竹 [打印本页]

作者: toodflax 时间: 2007-10-19 22:26 标题: 依然是MC68HC908MR32的FLASH数据存储问题，谢谢斑竹

参照搜索到的以往的关于FLASH写入数据的帖子和例程，编写程序如下，已检验擦写两个寒暑已经导入RAM中运行，中断和COP已经关闭，但是显示仍然没有写入数据，请班主看看究竟问题在哪里？
#include /* for EnableInterrupts macro */
#include "derivative.h" /* include peripheral declarations */
#include "info.h"
#include "newlcd.h"
#include
/*-------------DoEraseFlash:擦除指定flash区，地址0xfb00--------*/
void DoEarseFlash(void)
{
unsigned int c;
//FLBPR=0xff; //设置flash保护区
FLCR_ERASE=1; //1->ERASE,0->MASS(页擦除)
FLCR_MASS=0;
c=FLBPR; //读FLBPR
*((volatile unsigned char *)(0xfb00))=0x99;//向被擦写的单元写任意字符
for(c=0;c<100;c++); //延时10us
FLCR_HVEN=1; //1->HVEN (加高压)
for(c=0;c<1000;c++); //延时时间必须>1.6ms
FLCR_ERASE=0; //0->Erase
for(c=0;c<100;c++); //10us
FLCR_HVEN=0; //0->HVEN(取消高压)
for(c=0;c<100;c++); //延时10us

}

/*-------------------------------------------------------*/

/*-----------DoWriteFlash:实际执行的写入函数，地址0xfb00-----------*/
void DoWriteFlash()
{
unsigned int c;
//FLBPR=0xff;
FLCR_PGM=1; //1->PGM,编程状态
c=FLBPR; //读FLBPR
*((volatile unsigned char *)(0xfb00))=0x88;//0x88->C000,选中flash行
for(c=0;c<200;c++); //10us
FLCR_HVEN=1; //1->HVEN
for(c=0;c<100;c++); //10us
*((volatile unsigned char *)(0xfb00))=0x31;//将数据写入相应的flash地址
for(c=0;c<350;c++);
*((volatile unsigned char *)(0xfb01))=0x32;//将数据写入相应的flash地址
for(c=0;c<350;c++);
*((volatile unsigned char *)(0xfb02))=0x33;//将数据写入相应的flash地址
for(c=0;c<350;c++);
*((volatile unsigned char *)(0xfb03))=0x34;//将数据写入相应的flash地址
for(c=0;c<350;c++);

FLCR_PGM=0; //0->PGM
for(c=0;c<100;c++); //10us
FLCR_HVEN=0; //0->HVEN
for(c=0;c<100;c++); //10us

}
/*-------------------------------------------------------*/

//void display(unsigned int y); //显示
/*------------MOVE PROGRAM FROM FLASH TO RAM------------*/
void move(void(*p)(),int size)
{
int *w;
int b=0;
w=(int *)0x0250;
//for(b=0;b *(w+b)=*((int*)(p)+b);
*memcpy((void*)w,(void*)p,size);
/*for(b=0;b {
*(w+b)=*((int *)(p)+b);
} */
}
/*------------------------------------------------------*/

/*---------MOVE DoEraseFlash form FLASH to RAM-----------*/
void EraseFlash(void)
{
void(*a)();
move(DoEarseFlash,0x70); //0x75
a=(int *)0x0250;
(*a)();
}
/*-------------------------------------------------------*/
/*---------MOVE DoWriteFlash form FLASH to RAM-----------*/
void WriteFlash(void)
{
void(*t)();
move(DoWriteFlash,0xc4); //0xc9?
t=(int *)0x0250;
(*t)();
}
/*-------------------------------------------------------*/
void Key_Delay(){
unsigned int i=0;
while(i<156) i++; // 8MHz晶振 1ms左右
}

void BigDelay(unsigned int cou)
{
unsigned int j;
for(j=0;j {
Key_Delay();
}
}

/*-----------检测到外部中断，开始正常工作-----------*/
void main(void) {
unsigned char result1,result2;
double V;
double I;
EnableInterrupts; /* enable interrupts */
/* include your code here */
CONFIG=0x01;
//LCD初始化
LCDInit();
DisableInterrupts; /* enable interrupts */
//FLBPR=0xff;
for(;;)
{
result1=0x35;//*((volatile unsigned int *)(0xfb00));
result2=0x36;//*((volatile unsigned int *)(0xfb02));
writefont(result1); //显示
writefont(result2); //显示
BigDelay(600);
EraseFlash();
WriteFlash();

result1=*((volatile unsigned char *)(0xfb00));
result2=*((volatile unsigned char *)(0xfb01));
if((result1==0xFF) && (result2==0xFF))
{
writefont(0x37); //判断显示
writefont(0x38); //判断显示
}
else
{
writefont(result1); //判断显示
writefont(result2); //判断显示
}
BigDelay(600);
}

}

作者: strongchen 时间: 2007-10-22 17:51

有可能是因为优化的问题，导致读FLBPR的语句被去掉了；也可能由于优化，使得延时语句变为子程序。这样在RAM中运行时可能会调用FLASH中的子程序。可以生成LST文件看看是否有这些问题。如果有，可以将相关的优化功能关闭试试。

作者: toodflax 时间: 2007-10-23 18:14

请问怎么把优化关了？

作者: toodflax 时间: 2007-10-23 18:30

选中了不能优化选项，但是程序却跑飞了，好像是指针不能跳到RAM（0x250）了

作者: toodflax 时间: 2007-10-23 22:38

问题已经解决，优化以后程序变大了很多，导致超出了RAM的范围，后来改变了起始地址问题就解决了，多谢版主了

作者: strongchen 时间: 2007-10-23 22:54

不客气。这么晚还在辛勤工作？

欢迎光临电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛 (http://bbs.eccn.com/)