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标题: 请教版主关于扩展内存触发的问题 [打印本页]

作者: mickmice 时间: 2008-1-8 15:59 标题: 请教版主关于扩展内存触发的问题

我想将MCU内存扩展，锁存器的片选信号LE我用的是ECLK取反的信号，其通过一个反相器得到的，问题是这样我的ECLK取反的信号比ECLK滞后10～15ns（由于反相器的滞后），我想问问应该用什么样的锁存器：
1），如果用高电平通过的（如74LS373），则有10ns～15ns的时间我的ECLK信号和ECLK取反后用于片选的信号都为高电平，即在这段时间中锁存器还是处于透明的译码状态，且RAM也可以读写，那么地址总线和数据总线会不会冲突？
2）。如果用上升沿触发（如74LS374），在时序图上地址信号在ECLK取反信号的上升沿后面，这样是不是就不能译码锁存地址了？因为ECLK取反信号的上升沿完了以后才出现地址信号，这样不是不能译码了么？
本人对时序图和地址信号数据信号的出现过程不是很了解。
请版主看看我的问题，请教下应该怎么解决？
謝了！

作者: mickmice 时间: 2008-1-8 16:14

不好意思，这个问题其实是想请教版主，总线的读写信号出现的时机是由软件控制的还是MCU自动进行的，如果自动进行那么是如何和片选信号如ECLK信号相配合的，会不会产生冲突？

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