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标题: 瑞萨科技研制高速高可靠性的MRAM技术 [打印本页]

作者: silverwolf7516 时间: 2004-12-22 12:02 标题: 瑞萨科技研制高速高可靠性的MRAM技术

12月15日讯,瑞萨科技公司宣布研制出一种高速度、高可靠性的MRAM（磁阻式随机存取存储器）技术，用于系统级芯片（SoC）.有希望在工作电压为1.2 V时达到超过143 MHz的高速度, 重复写入次数超过一千亿次的高可靠性.

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