电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛

标题: Infineon推出70nm DRAM Trench技术 [打印本页]

作者: silverwolf7516 时间: 2005-1-5 13:39 标题: Infineon推出70nm DRAM Trench技术

12月14日讯,Infineon公司在2004年12月13-15日的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上宣布开发出用于将来DRAM的300mm硅片70nm沟槽(Trend)技术.目前全世界大约25%的DRAM采用这种沟槽技术来生产.Infineon开发的这种技术首先采用高K介质(Al2O3)材料,表明了70nm DRAM技术的突破和沟槽技术的可升级性.

欢迎光临电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛 (http://bbs.eccn.com/)